一种用于提高光电转换效率的单晶硅片制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种用于提高光电转换效率的单晶硅片
本技术涉及单晶硅片
，尤其涉及一种用于提高光电转换效率的单晶硅片。
技术介绍
单晶硅片用于光电转换设备上起到发电的作用，而现有技术中单晶硅片的导电性能较差，从而导致单晶硅片的光电转换效率降低，造成资源利用的浪费。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中存在的单晶硅片的导电性能较差导致光电转换效率降低的缺点，而提出的一种用于提高光电转换效率的单晶硅片。为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：设计一种用于提高光电转换效率的单晶硅片，包括单晶硅层和二氧化碳钝化层，所述单晶硅层的下表面设有第二二氧化硅层，且二氧化碳钝化层设在第二二氧化硅层的底面，所述单晶硅层的上表面设有第一二氧化硅层，所述第一二氧化硅层的上表面设有镓晶体硅层，所述镓晶体硅层的上表面设有单晶硅绒面层。优选的，所述单晶硅绒面层的上表面还粘接有氮化硅薄膜。优选的，所述单晶硅绒面层的上表面还开设有交错排列第一格栅槽和第二格栅槽，且第一格栅槽和第二格栅槽的数量至少有十条，并以平行等距的方式进行排列。优选的，所述单晶硅层的外部设有橡胶层，且橡胶层的顶端与镓晶体硅层处于水平直线上，橡胶层的底端与二氧化碳钝化层处于同一水平直线上。本技术提出的一种用于提高光电转换效率的单晶硅片，有益效果在于：通过加入第一二氧化硅层和第二二氧化硅层，可以提高单晶硅片的导电性能，从而提高单晶硅片的光电转换效率；通过加入镓晶体硅层和单晶硅绒面层，可以减少光衰，从而提高单晶硅片对阳光的吸收效率。本技术结构简单、使用方便，不仅可以提高对单晶硅片的光电转换效率，还可以提高资源的利用效率。附图说明图...
【技术保护点】
一种用于提高光电转换效率的单晶硅片，包括单晶硅层（2）和二氧化碳钝化层（1），其特征在于，所述单晶硅层（2）的下表面设有第二二氧化硅层（4），且二氧化碳钝化层（1）设在第二二氧化硅层（4）的底面，所述单晶硅层（2）的上表面设有第一二氧化硅层（3），所述第一二氧化硅层（3）的上表面设有镓晶体硅层（8），所述镓晶体硅层（8）的上表面设有单晶硅绒面层（10）。
【技术特征摘要】
1.一种用于提高光电转换效率的单晶硅片，包括单晶硅层（2）和二氧化碳钝化层（1），其特征在于，所述单晶硅层（2）的下表面设有第二二氧化硅层（4），且二氧化碳钝化层（1）设在第二二氧化硅层（4）的底面，所述单晶硅层（2）的上表面设有第一二氧化硅层（3），所述第一二氧化硅层（3）的上表面设有镓晶体硅层（8），所述镓晶体硅层（8）的上表面设有单晶硅绒面层（10）。2.根据权利要求1所述的一种用于提高光电转换效率的单晶硅片，其特征在于，所述单晶硅绒面层（10）的上表面还粘接有氮化硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：周士杰，陈圣铁，
申请(专利权)人：温州隆润科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33
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