一种黑硅太阳电池片的封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种黑硅太阳电池的封装结构，包括覆盖在所述的黑硅太阳电池4表面的封装玻璃2，所述的封装玻璃2上镀有减反射玻璃镀膜层1；所述的黑硅太阳电池4由黑硅太阳电池片6所串联而成的电池串串联构成，相邻的黑硅太阳电池片6通过焊带进行连接固定，其特征在于：所述的减反射玻璃镀膜层1的厚度为111nm~139nm。本新型的黑硅太阳电池的封装结构能够提高封装所得到的黑硅太阳电池组件的功率。

【技术实现步骤摘要】
201521092299

【技术保护点】
一种黑硅太阳电池的封装结构，包括覆盖在所述的黑硅太阳电池（4）表面的封装玻璃（2），所述的封装玻璃（2）上镀有减反射玻璃镀膜层（1）；所述的黑硅太阳电池（4）由黑硅太阳电池片（6）所串联而成的电池串串联构成，相邻的黑硅太阳电池片（6）通过焊带进行连接固定，其特征在于：所述的减反射玻璃镀膜层（1）的厚度为111 nm ~139 nm。

【技术特征摘要】
1.一种黑硅太阳电池的封装结构，包括覆盖在所述的黑硅太阳电池（4）表面的封装玻璃（2），所述的封装玻璃（2）上镀有减反射玻璃镀膜层（1）；所述的黑硅太阳电池（4）由黑硅太阳电池片（6）所串联而成的电池串串联构成，相邻的黑硅太阳电池片（6）通过焊带进行连接固定，其特征在于：所述的减反射玻璃镀膜层（1）的厚度为111nm~139nm。

【专利技术属性】
技术研发人员：王凌祥，谢伟，朱生宾，崔廷，蒋明强，
申请(专利权)人：合肥晶澳太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34