太阳能电池的制造方法及其结构技术

本发明专利技术公开了的太阳能电池的制造方法，所述方法采用C-O共掺的方法制备非晶硅单结薄膜电池、非晶硅/非晶硅锗或非晶硅/微晶硅等硅基薄膜太阳电池中非晶硅顶电池的非晶P型掺杂层。相应的，还提供了采用本发明专利技术的方法形成的太阳能电池的结构。本发明专利技术的方法以及太阳能电池结构可以有效解决目前硅氧制备的非晶P型掺杂层中存在的光学带隙和导电特性之间的矛盾，提高太阳能电池的稳定性及其光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池
，具体地说涉及太阳能电池的制造方法及其结构。
技术介绍
非晶娃本身固有的S-W (Steabler-Wronski,光致衰退)效应是造成娃基薄膜组件光致衰减的主要原因。参考图1，图I为典型非晶硅/微晶硅叠层电池组件的室内光致衰减曲线。从图I中可看出，当控制室内光照强度为1000W/m2，组件表面温度50±2°C时，非晶娃/微晶娃叠层电池组件(1100_x 1300mm)的室内光致衰减情况。 目前产业化的非晶硅单结组件的光致衰减系数在159^20%的范围内，非晶硅/微晶硅叠层电池组件的光致衰减系数在9°/ri3%的范围内。例如，当衰减系数为11%时，初始功率I 50W(1100mm*1300mm)的非晶硅/微晶硅叠层电池，真正发电的功率只有133W，功率的损失非常巨大。因此，学术界和产业界的相关人员一直致力于解决硅基薄膜组件的光致衰减问题，以减小光伏组件发电功率的损失。FF (Fill Factor，填充因子)衰减是非晶硅单结电池和非晶硅/微晶硅叠层电池光致衰减的主要原因之一。引起FF下降的直接原因有很多，例如(1)非晶硅本征层的质量，特别是R-fac本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非晶硅单结薄膜电池的制造方法，其中所述方法包括以下步骤：提供一衬底（100），在所述衬底（100）上形成前电极（200）；在所述前电极（200）上形成非晶硅PiN结（300），所述非晶硅PiN结（300）包括：非晶P型掺杂层（310）、非晶硅本征吸收层（320）和非晶N型掺杂层（330）；在所述非晶硅PiN结（300）上形成背电极（400）；其特征在于，所述非晶P型掺杂层（310）为SiOxCy。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郁操，牛新伟，陈晨，
申请(专利权)人：浙江正泰太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：