【技术实现步骤摘要】
201610320350
【技术保护点】
一种用于薄膜太阳能电池的光子晶体陷光结构，其特征是：主要由二维光子晶体陷光层以及一维光子晶体反射结构组成；其中：所述二维光子晶体陷光层由分别设置在薄膜太阳能电池吸收层上、下方的二维光子晶体组成，两层二维光子晶体的结构参数相同；所述二维光子晶体由圆柱体介质按照正方晶格排列方式排布在与其折射率不同的等厚透明导电介质中组成；所述一维光子晶体反射结构由两种折射率不同且比值较大的介质材料呈周期交替堆积而成，两种介质的周期厚度由光子晶体中心波长决定，通过改变中心波长以及周期数可以调节光子禁带范围，可以获得较宽的光子禁带。
【技术特征摘要】
1.一种用于薄膜太阳能电池的光子晶体陷光结构，其特征是：主要由二维光子晶体陷光层以及一维光子晶体反射结构组成；其中：所述二维光子晶体陷光层由分别设置在薄膜太阳能电池吸收层上、下方的二维光子晶体组成，两层二维光子晶体的结构参数相同；所述二维光子晶体由圆柱体介质按照正方晶格排列方式排布在与其折射率不同的等厚透明导电介质中组成；所述一维光子晶体反射结构由两种折射率不同且比值较大的介质材料呈周期交替堆积而成，两种介质的周期厚度由光子晶体中心波长决定，通过改变中心波长以及周期数可以调节光子禁带范围，可以获得较宽的光子禁带。2.根据权利要求1所述的用于薄膜太阳能电池的光子晶体陷光结构，其特征是：所述组成二维光子晶体的圆柱体介质与薄膜太阳能电池吸收层介质相同，透明导电介质为氧化铟锡（ITO）。3.根据权利要求1所述的用于薄膜太阳能电池的光子晶体陷光结构，其特征是：所述二维光子晶体的结构参数与薄膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：武振华，李思敏，张文涛，熊显名，高凤艳，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：发明
国别省市：广西;45
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