【技术实现步骤摘要】
本技术涉及太阳能电池领域，特别涉及太阳能电池的选择性发射极结构。
技术介绍
低成本、高效率的太阳能电池(简称“电池”)是工业化电池生产的方向，而选择性发射极电池无疑是实现高效率电池的重要方法之一。选择性发射极电池的结构主要特点首先和金属化区域接触的衬底形成重掺杂区，非金属区域形成轻掺杂区。目的是在保证金属半导体接触质量的情况下，降低发射极的复合速率，提高蓝波段的内量子效率，提高短路电流密度和开压。选择性发射极具有良好的金属接触，金属化区域重掺杂区节深大，烧结过程中金属等杂质不容易进入耗尽区形成深能级；金属化高复合域和光照区域分离，载流子复合低，横向高低结前场作用明显，有利于光生载流子收集等优点。目前实现选择性发射极电池的主要方法有掩膜二次扩散和一次重扩散后利用掩膜保护重扩散区进行化学腐蚀形成轻掺杂区。但是这两种方法工艺相对复杂，成本较高。
技术实现思路
技术目的针对上述现有技术存在的问题和不足，本技术的目的是提供工艺简单、成本较低的太阳能电池的选择性发射极结构及其制备方法。技术方案为实现上述技术目的，本技术采用的第一种技术方案为一种太阳能电池的选择性发射极结构，包括η...
【技术保护点】
一种太阳能电池的选择性发射极结构，包括n型晶体硅衬底，上表面分布有间断的轻掺杂区，所述轻掺杂区的间断处设有p++重掺杂区。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈同银，马杰华，邢国强，
申请(专利权)人：合肥海润光伏科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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