一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)表面清洗及织构化、表面氧化形成掩膜、腐蚀开口形成电极栅线窗口；(2)将上述电极栅线窗口进行抛光；(3)去除上述表面氧化形成的掩膜；(4)对硅片整面进行离子注入；(5)退火；(6)沉积减反射膜、丝网印刷、烧结形成欧姆接触；即可得到选择性发射极晶体硅太阳电池。本发明专利技术通过将电极栅线窗口进行抛光，即在电极下面形成抛光面，而其他区域形成绒面，然后通过一次离子注入实现选择性发射极结构，大大简化了工艺、降低了成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 表面清洗及织构化、表面氧化形成掩膜、腐蚀开口形成电极栅线窗口；(2) 将上述电极栅线窗口进行抛光；(3) 去除上述表面氧化形成的掩膜；(4) 对硅片整面进行离子注入；(5) 退火；(6) 沉积减反射膜、丝网印刷、烧结形成欧姆接触；即可得到选择性发射极晶体硅太阳电池。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王登志，王栩生，邢国强，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32