N型太阳能电池组件及N型太阳能电池片制造技术

技术编号:8343018 阅读:211 留言:0更新日期:2013-02-16 21:46
本实用新型专利技术提供了一种N型太阳能电池片,其上设置有主栅线和与之相交的多条辅栅线,多条辅栅线呈至少两个相互隔离的栅线组的形态分布,每个栅线组中的辅栅线都可以对载流子进行传递,同一栅线组中的辅栅线位于主栅线同一侧的末端依次相连,当某一辅栅线发生断裂时,可以通过同一栅线组中与主栅线相连的其它的辅栅线完成对载流子的传递。相邻的栅线组之间相互隔开,这样在一定程度上减少了浆料的使用,降低了晶硅太阳能电池的成本,N型太阳能电池片表面浆料的覆盖面积变小,又使得其表面的受光面积增加,从而提高了光电的转换效率。本实用新型专利技术还提供了一种N型太阳能电池组件,包括接线盒和与接线盒相连的具有如上结构的N型太阳能电池片。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能电池制造
,更具体地说,涉及一种N型太阳能电池组件及N型太阳能电池片。·
技术介绍
晶体硅太阳能电池已经被大规模应用到各个领域,其良好的稳定性和成熟的工艺流程是其大规模应用的基础。N型太阳能电池作为晶体硅太阳能电池的一种类型,其以N型直拉单晶硅为基体,其具有磷扩散制备的背表面场和硼扩散制备的P型发射结,硅片表面覆盖有起钝化和减反射作用的薄膜。如图I所示,图I为现有技术中N型太阳能电池片生产工艺流程图。晶硅太阳能电池在生产时,首先需要对制作晶硅太阳能电池的硅片进行清洗,通过化学清洗达到对硅片表面的结构化处理,然后将清洗后的硅片进行扩散工艺,硅片经硼扩散工艺形成P-N结,此时对形成P-N结的硅片进行周边刻蚀工艺,以去掉在扩散工艺中硅片边缘所形成的导电层,然后经 PECVD (PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition,等离子体增强化学气相沉积法)工艺,即沉积减反射膜,印刷电极工艺和烧结工艺等制作得到符合要求的晶硅太阳能电池。在晶硅太阳能电池的生产工艺中,印刷电极工艺大多是采用丝网印刷技术,即将含有金属成分的浆料印刷在硅片上,然本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种N型太阳能电池片,其上设置有主栅线(41)和与之相交的多条辅栅线(42),其特征在于,多条所述辅栅线(42)呈至少两个相互隔离的栅线组(5)的形态分布,每个所述栅线组(5)包括相邻的、不少于两条的所述辅栅线(42),同一个所述栅线组(5)中的所述辅栅线(42)位于所述主栅线(41)同一侧的末端依次相连。

【技术特征摘要】
1.一种N型太阳能电池片,其上设置有主栅线(41)和与之相交的多条辅栅线(42),其特征在于,多条所述辅栅线(42)呈至少两个相互隔离的栅线组(5)的形态分布,每个所述栅线组(5)包括相邻的、不少于两条的所述辅栅线(42),同一个所述栅线组(5)中的所述辅栅线(42)位于所述主栅线(41)同一侧的末端依次相连。2.根据权利要求I所述的N型太阳能电池片,其特征在于,每个所述栅线组(5)均包括两条辅栅线。3.根据权利要求2所述的N型太阳能电池片,其特征在于,任何相邻的两条所述辅栅线(42)之间的距离均相等。4.根据权利要求3所述的N型太阳能电池片,其特征在于,所述N型太阳能电池片为...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨德成王红芳李高非胡志岩熊景峰
申请(专利权)人:英利能源中国有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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