一种太阳能晶硅电池的背面开窗结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种太阳能晶硅电池的背面开窗结构，其目的在于解决现有太阳能晶硅电池的背面使用激光开窗时易于造成的硅片损伤以及由于直线开窗的宽度窄与铝粉颗粒大小难以匹配的问题。本实用新型专利技术包括P型硅基体，所述P型硅基体前表面上有磷扩散层，磷扩散层上覆盖有氮化硅减反膜，氮化硅减反膜上丝网印刷有正面银电极，所述P型硅基体背面上设有钝化层，所述钝化层上设有点状开窗结构，点状开窗结构穿透钝化层，钝化层上丝网印刷有背面铝电极，背面铝电极在点状开窗结构处与P型硅基体接触。本实用新型专利技术在使用激光开窗时不会损伤硅片，与导电铝浆中铝粉颗粒匹配度好，印刷烧结时铝粉颗粒与硅片接触良好，提高了太阳能晶硅电池的电性能。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能晶硅电池生产
，特别涉及一种太阳能晶硅电池的背面开窗结构。
技术介绍
在硅片表面，晶体的周期性被破坏从而会产生悬挂键，使得晶体表面存在大量位于带隙中的缺陷能级；另外，位错、化学残留物、表面金属的沉积都会引入缺陷能级。这些都 使得硅片表面成为复合中心。而为了降低生产成本，人们不断降低硅片厚度，使光生载流子很容易扩散到背表面而加重了背表面的复合。降低太阳电池表面的复合速率有两种最基本的技术。一是降低表面态密度，表面复合速率同表面缺陷密度成正比，因此，理论上太阳电池表面复合速率可以通过沉积或生长适当的钝化层(如氮化硅、氧化钛、氧化硅、氧化铝等)而得到极大的降低。二是降低太阳电池表面的自由电子或空穴的浓度。对电池表面钝化工艺主要可分为前表面钝化和背表面钝化，其中前表面钝化很早就已经是常规工艺，典型的有沉积氮化硅和氧化硅绝缘层对前表面进行钝化，今后改善的空间不大。对于背表面而言，常规工艺中使用铝背场可以在含硼的P型硅表面形成含有铝的P+层，具有更低电阻的欧姆接触，但并不具有钝化效果。而且随着硅片厚度的降低，其效率损失更为明显。对此推出了背表面钝化技术，在背钝化电池的结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能晶硅电池的背面开窗结构，包括P型硅基体（1），所述P型硅基体（1）前表面上有磷扩散层（2），磷扩散层（2）上覆盖有氮化硅减反膜（3），氮化硅减反膜（3）上丝网印刷有正面银电极（4），所述P型硅基体（1）背面上设有钝化层，其特征在于：所述钝化层上设有点状开窗结构（9），点状开窗结构（9）穿透钝化层，设有点状开窗结构（9）的钝化层上丝网印刷有背面铝电极（7），背面铝电极（7）在点状开窗结构（9）处与P型硅基体（1）接触。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能晶娃电池的背面开窗结构，包括P型娃基体(1)，所述P型娃基体(I)前表面上有磷扩散层(2 )，磷扩散层(2 )上覆盖有氮化硅减反膜(3 )，氮化硅减反膜(3 )上丝网印刷有正面银电极(4)，所述P型硅基体(I)背面上设有钝化层，其特征在于所述钝化层上设有点状开窗结构(9)，点状开窗结构(9)穿透钝化层，设有点状开窗结构(9)的钝化层上丝网印刷有背面铝电极(7)，背面铝电极(7)在点状开窗结构(9)处与P型硅基体(I)接触。2.根据权利要求I所述的一种太阳能晶硅电池的背面开窗结构，其特征在于所述点状开窗结构(9)由多个圆点(91)组合而成，多个圆点(91)横向成排纵向成列均匀布置，所述点状开窗结构(9)的开窗面积占P型硅基体(I)背面总面积的6%...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴敏，韩健鹏，陈金灯，吕绍杰，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：