【技术实现步骤摘要】
本技术涉及光伏发电
,更具体地说,涉及一种晶体硅太阳能电池。
技术介绍
晶体硅太阳电池的主要载体是硅片,硅片经过表面制绒、扩散制结、刻蚀、沉积减反射膜、印刷电极等工艺制备成太阳能电池片。其中,沉积减反膜是太阳能电池片制造过程中的一个重要工序。减反膜利用光的干涉现象减少硅片表面对光的反射,增加对光的吸收效率。同时,通过增加减反膜还可以增加太阳能电池表面的钝化效果,降低少子的表面复合,增加少子的。当减反I吴的材料一定时,调整减反I吴的厚度,使减反I吴的折射率与其厚度的乘积等于四分之一入射波长,此时,从减反膜的第二个界面返回到第一个界面的反射光与从第一个界面的反射光具有180度的相位差,从而形成相消干涉,进而减少了光的反射,提高了对光能的利用率。·目前,现有的晶体硅太阳能电池一般设置一层氮化硅减反膜,其均镀为蓝色(即薄膜厚度为80nm左右,此时太阳能电池外观呈现蓝色),外观颜色较为单一。虽然通过改变减反膜的厚度可以改变晶体硅太阳能电池的外观颜色,但是这样会降低其表面钝化效果。所以,如何实现晶体硅太阳能电池外观颜色多样性,并保证其钝化效果是晶体硅太阳能电池生产时一 ...
【技术保护点】
一种晶体硅太阳能电池,其特征在于,包括:电池本体;设置在所述电池本体受光面上的减反层;设置所述减反层上的钝化层。
【技术特征摘要】
1.一种晶体硅太阳能电池,其特征在于,包括 电池本体; 设置在所述电池本体受光面上的减反层; 设置所述减反层上的钝化层。2.根据权利要求I所述的太阳能电池,其特征在于,所述减反层包括 设置在所述电池本体上的第一氮化硅薄膜; 设置在所述第一氮化硅薄膜上的第二氮化硅薄膜。3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一氮化硅薄膜的厚度为20n...
【专利技术属性】
技术研发人员:汤丹,王立建,
申请(专利权)人:浙江昱辉阳光能源江苏有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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