工作性能好的单晶硅太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种单晶硅太阳能电池，包括P型硅片，在P型硅片的正面设有作为负极的NP结，在NP结的正面设有氧化硅减反射膜，正极金属电极穿过氧化硅减反射膜与NP结形成欧姆接触；在P型硅片的反面设置P+层，在P+层的反面设置铝背场，在铝背场中设有背电极。本实用新型专利技术提供的单晶硅太阳能电池，结构合理，工作性能良好，且制造成本低，效率高。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种太阳能电池，尤其涉及一种单晶硅太阳能电池。
技术介绍
太阳能电池推广应用的主要障碍是发电成本与火力发电成本相比较成本过高。聚光电池则是通过薄片，聚光等手段，可以大大降低发电成本。同时，工作性能不好，效率不闻。
技术实现思路
为了克服现有技术中存在的不足，本技术提供一种结构合理，工作性能良好的单晶硅太阳能电池。为了实现上述目的，本技术所采取的技术方案为解决上述技术问题，本技术采样的技术方案为一种单晶硅太阳能电池，包括P型硅片，在P型硅片的正面设有作为负极的NP结，在NP结的正面设有氧化硅减反射膜，正极金属电极穿过氧化硅减反射膜与NP结形成欧姆接触；在P型硅片的反面设置P+层，在P+层的反面设置铝背场，在铝背场中设有背电极；正面栅线包括主栅线和细栅线，正面栅线的阴影面积占正面总面积的15% 16%，其中细栅线的阴影面积占正面总面积的10% 11%。所述细栅线宽度为O. 09mm O. Imm,细栅线的中心内距为Imm I. 1mm。所述P型硅片为165单晶硅片。有益效果本技术提供的单晶硅太阳能电池，结构合理，工作性能良好，且制造成本低，效率高。附图说明图I为本技术的结构示意图。具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种工作性能好的单晶硅太阳能电池，其特征在于：该太阳能电池包括P型硅片(1)，在P型硅片(1)的正面设有作为负极的NP结(2)，在NP结(2)的正面设有氧化硅减反射膜(3)，正极金属电极(4)穿过氧化硅减反射膜(3)与NP结(2)形成欧姆接触；在P型硅片(1)的反面设置P+层(5)，在P+层(5)的反面设置铝背场(6)，在铝背场(6)中设有背电极(7)。

【技术特征摘要】
1.一种工作性能好的单晶硅太阳能电池，其特征在于该太阳能电池包括P型硅片(I)，在P型硅片(I)的正面设有作为负极的NP结(2)，在NP结(2)的正面设有氧化硅减反射膜(3)，正极金属电极(4)穿过氧化硅减反射膜(3)与NP结(2)形成欧姆接触；在戸型硅片(I)的反面设置P+层(5)，在P+层(5)的反面设置铝背场(6)，在铝背场(6)中设有背电极(7)。2.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹永杰，何干坤，曹永祥，王绍林，张良春，许龙光，
申请(专利权)人：温州宏阳铜业有限公司，
类型：实用新型
国别省市：