一种化学氧化法制作异质结单晶硅薄膜太阳能电池制造技术

技术编号:9336826 阅读:115 留言:0更新日期:2013-11-13 17:31
目前异质结单晶硅薄膜太阳电池皆于清洗制绒后,进入等离子增强式化学气相沉积设备直接制备钝化层,而因需双面镀膜,故当待镀面于背面时,将与载台接触而造成污染,本发明专利技术即为提供一种化学溶液氧化工艺于硅片进入等离子增强式化学气相沉积设备前先将硅片待镀面表面产生一层氧化层,如此可避免于待镀面置于载台所造成不必要的污染,进而提升转换效率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
本专利技术为一种可优化提升异质结单晶硅薄膜太阳电池转化效率的新颖专利技术,利用化学溶液于硅片待镀面表面形成一层氧化层,如此可避免硅片待镀面的污染,进而提升光电转换效率。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:郑佳仁刘幼海刘吉人
申请(专利权)人:吉富新能源科技上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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