【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种硅纳米柱阵列光电池的选择性栅极,其特征在于,该选择性栅极是覆盖在未被刻蚀纳米柱阵列的光电池表面,在除覆盖该选择性栅极以外的光电池表面是被刻蚀形成的硅纳米柱阵列。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:刘静,伊福廷,
申请(专利权)人:中国科学院高能物理研究所,
类型:发明
国别省市:
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