一种纳米电极阵列及其制备方法技术
Nano electrode array and preparation method thereof
The invention provides a nano electrode array, the nano electrode array includes a uniform vertical setting high silicon tip array 2 silicon substrate 1, silicon tip array set 2 side of the silicon substrate 1 and the surface of silicon tip arrays coated metal film 2 surface layer 3, metal film in silicon tip array 2 peak the 3 layer is provided with 4 nano particles. The nano electrode array of the invention has the advantages of small volume, large density and small curvature radius of the tip, and can be used for low cost and large batch preparation of the ionization type gas sensor.
【技术实现步骤摘要】
一种纳米电极阵列及其制备方法
本专利技术涉及一种电极阵列及其制备方法，具体讲涉及一种纳米电极阵列及其制备方法。
技术介绍
气体传感器是将气体的成份、浓度等信息转化成对应的电信号再转换成可以被人员、仪器仪表、计算机等识别的装置。气体传感器种类繁多，如电离型气体传感器、化学吸附式气体传感器和红外线气体传感器。基于气体电离原理的电离型气体传感器，包括连接在高压的单个或者多个曲率半径很小的针状尖端电极和连接地的大曲率半径电极(如平板电极)，通过测量击穿电压及放电时电流－电压关系，得到周围环境中气体种类及浓度信息。电离型气体传感器可以在室温下工作，与化学吸附式气体传感器相比，具有可指纹性识别不同种类气体、不易吸附待测气体、响应和恢复时间短等优点。电离型气体传感器中针状尖端电极曲率半径对放电特性具有决定性影响，针状尖端电极曲率半径越小，越容易实现放电，放电电压越低，传感器的测量灵敏度越高。针状尖端电极一般采用化学气相沉积法制备的多壁碳纳米管或阳极氧化铝模板法制备的金属氧化物及金属纳米纤维。采用MEMS技术可以获得曲率半径为纳米级的尖端电极。有效降低放电电压，简化传感器高压电路...
【技术保护点】
一种纳米电极阵列，包括其上均匀垂直设置等高硅尖阵列(2)的硅片衬底(1)，其特征在于，设置硅尖阵列(2)一侧的所述硅片衬底(1)的表面和所述硅尖阵列(2)表面包覆金属薄膜层(3)，位于所述硅尖阵列(2)峰顶的金属薄膜层(3)设有纳米颗粒(4)。
【技术特征摘要】
1.一种纳米电极阵列，包括其上均匀垂直设置等高硅尖阵列(2)的硅片衬底(1)，其特征在于，设置硅尖阵列(2)一侧的所述硅片衬底(1)的表面和所述硅尖阵列(2)表面包覆金属薄膜层(3)，位于所述硅尖阵列(2)峰顶的金属薄膜层(3)设有纳米颗粒(4)。2.如权利要求1所述的一种纳米电极阵列，其特征在于：所述硅片衬底(1)剖面为凹槽形，所述硅尖阵列(2)竖直设于所述凹槽的凹陷部，其高度与所述凹槽两凸块的高度相等，所述硅片衬底(1)厚度为100μm～1000μm，所述硅片衬底(1)为方形或圆形。3.如权利要求1所述的一种纳米电极阵列，其特征在于：所述硅尖阵列(2)为均匀分布的圆台阵列，所述圆台下底面间距为1μm～100μm；所述圆台上下直径分别为0.5μm～1μm和5μm～100μm，高度为5μm～800μm。4.如权利要求1所述的一种纳米电极阵列，其特征在于：所述金属薄膜层(3)厚度为10nm～300nm，所述金属薄膜层(3)选用Au、Pt、Cr或W，金属薄膜层(3)为单层。5.如权利要求1所述的一种纳米电极阵列，其特征在于：所述纳米颗粒(4)为金属纳米颗粒和/或金属氧化物纳米颗粒，所述纳米颗粒(4)为直径为1nm-100nm的球形颗...
【专利技术属性】
技术研发人员：李璐，陈硕，何秀丽，高晓光，贾建，尉志勇，郑天祥，
申请(专利权)人：国网智能电网研究院，国家电网公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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