【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
本专利技术为一种可优化提升单晶硅太阳电池转化效率的新颖专利技术，利用非晶硅在单晶硅上面的沈积成膜搭配，形成异质结结构，而非晶硅与透明导电膜沈积的顺序，则为达成高效率的重要途径，而本专利技术即为提出此沈积顺序以形成最佳的单晶硅表面钝化作用以及减少表面污染的影响，进而达到高效率的异质结单晶硅薄膜，流程为先在清洗制绒后的N型单晶硅(1)的正面利用等离子增强式化学气相沉积设备沉积I型氢化非晶硅薄膜(2)，接下来将整个硅片翻面，于背面依序沈积I型氢化非晶硅薄膜(2)?与N型氢化非晶硅薄膜(4)，接下来将整个硅片翻面，于正面沈积P型氢化非晶硅薄膜(3)，接着再利用磁控溅射或是反应式物理气相沈积设备，先在P型非晶硅薄膜(3)上沈积透明导电膜(5)，接着于N型非晶硅薄膜(4)上沈积透明导电膜(5)，最后利用网版印刷于正背面将银导线(6)布上，及完成此高钝化异质结单晶硅薄膜太阳电池。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郑佳仁，刘幼海，刘吉人，
申请(专利权)人：吉富新能源科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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