【技术实现步骤摘要】
一种具有背面钝化结构的单晶硅太阳能电池
本技术属于太阳能制造
,具体涉及一种具有背面钝化结构的单晶硅太阳能电池。
技术介绍
商品化的太阳电池市场85%以上仍被晶体娃太阳电池产品占据,围绕效率与成本构成的性价比竞争十分激烈。单晶硅电池主要有P型和N型两种不同衬底的产品,由于在衬底价格、非硅成本方面的成本优势,目前的主要市场产品仍以P型单晶硅太阳能电池为主。如何以少量的投入,引入新的工艺增加电池光电转换效率是P型单晶硅太阳能电池的研究方向。 近年来,表面钝化是晶硅电池的研究热点。无论是P型还是N型单晶硅太阳能电池,在电池的前表面、背表面制备钝化介质,是高效电池技术开展的基础,也是提高太阳能电池光电转换效率的有效途径之一。PECVD设备是晶硅电池生产线最常用的真空镀膜设备,可以低温制备具有减反射和钝化特性的SiNx薄膜,用于晶硅电池正面发射极钝化。背面用的钝化薄膜需要具备负电荷特性,因此氮氧化硅S1xNy薄膜是在常规制备氮化硅SiNx薄膜的PECVD设备基础上增加一路气体一笑气N20,沉积得到带有负电荷特性的氮氧化硅钝化薄膜。最近一段时间,原子层沉积(ALD)技术制备的金属氧化物薄膜对晶体硅具有优异钝化特性,激起了业界对这种表面钝化材料和工艺技术的浓厚兴趣。ALD制备的氧化铝薄膜在p型和η型硅表面都表现了优异的钝化特性,而且在低掺杂和高掺杂ρ型表面具有很好的热稳定性,这一点对于采用丝网印刷技术生产的太阳能电池来说尤为重要。 目前,叠层氧化物钝化介质层的研究处于市场化初期阶段,各种类型的叠层钝化介质层研究成为研究热点,具有高效 ...
【技术保护点】
一种具有背面钝化结构的单晶硅太阳能电池,包括Si衬底,Si衬底的正面依次向外设置有N+层发射极(3)、SiNX减反层(2),基于N+层发射极(3)上还设置有穿透SiNX减反层(2)的正面银电极(1),其特征在于:在Si衬底的背面设置有背面钝化结构(5),该背面钝化结构(5)为叠层钝化介质层,叠层钝化介质层由内向外依次为Al2O3薄膜和SiOxNy薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种具有背面钝化结构的单晶硅太阳能电池,包括Si衬底,Si衬底的正面依次向外设置有N+层发射极(3)、SiNX减反层(2),基于N+层发射极(3)上还设置有穿透SiNX减反层(2)的正面银电极(1),其特征在于:在Si衬底的背面设置有背面钝化结构(5),该背面钝化结构(5)为叠层钝化介质层,叠层钝化介质层由内向外依次为A1203薄膜和S1xNy薄膜。2.根据权利要求1所述的具有背面钝化结构的单晶硅太阳能电池,其特征在于:所述S1xNy薄膜和A1203薄膜为均匀致密的薄膜材料。3.根据权利要求1所述的具有背面钝化结构的单晶硅太阳能电池,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:李愿杰,廖亚琴,黄添懋,江瑜,
申请(专利权)人:中国东方电气集团有限公司,
类型:新型
国别省市:四川;51
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。