一种单晶硅太阳能电池制造工艺方法技术

技术编号:11480825 阅读:201 留言:0更新日期:2015-05-20 14:36
本发明专利技术公开了一种单晶硅太阳能电池制造工艺方法,其特征在于:所述制造工艺方法包括以下步骤:使用超声波清洗单晶硅表面的油污及手指印;表面制绒,通过在制绒槽内配制的碱液进行单晶硅片表面制绒,并在碱液内添加TS4作为催化剂;酸液清洗;甩干,采用甩干机甩干酸液清洗后的单晶硅片;将甩干后的单晶硅片放入扩散炉的石英容器内进行扩散,形成PN结;对太阳能电池四周边缘的PN结进行刻蚀;二次清洗;制备减反射膜;印刷电池;烧结;成形,烧结结束的单晶硅片经过机械加工,便可形成单晶硅太阳能电池板;本发明专利技术的工艺方法提高了单晶硅太阳能电池的制造效率,并增加了用本方法所制造出来的单晶硅太阳能电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种单晶硅太阳能电池制造工艺方法,其特征在于:所述制造工艺方法包括以下步骤:第一步:使用超声波清洗单晶硅片表面的油污及手指印;第二步:表面制绒,通过在制绒槽内配制的碱液进行单晶硅片表面制绒,并在碱液内添加TS4作为催化剂,所述催化剂TS4加快硅的腐蚀速度;第三步:酸液清洗,使用酸液去除硅片表面的氧化层及金属离子;第四步:采用甩干机甩干酸液清洗后的单晶硅片;第五步:将甩干后的单晶硅片放入扩散炉的石英容器内进行扩散,形成PN结;第六步:对扩散后的硅片进行刻蚀,以去除硅片边缘的PN结;第七步:对单晶硅片进行二次清洗去除扩散时的在单晶硅片表面形成的磷硅玻璃;第八步:制备减反射膜;第九步:印刷电池,使得太阳能电池表面形成正极和负极;第十步:烧结,印刷后的硅片,不能直接使用,需经烧结炉快速烧结,形成上下电极的欧姆接触;第十一步:成形,烧结结束的单晶硅片经过机械加工,便可形成单晶硅太阳能电池板。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:梁坚许国其顾冬生王豪兵戴王帅
申请(专利权)人:江苏天宇光伏科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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