【技术实现步骤摘要】
本技术涉及太阳电池,尤其涉及一种单晶硅太阳能电池。
技术介绍
目前,常规的商业晶体硅太阳能电池工艺技术路线如下首先进行来料分选,然后将晶体硅表面的损伤层清洗干净,并进行制绒以形成一定绒面来减少晶体硅表面反射率;再进行高温扩散制得PN结;采用PECVD方法在电池的扩散面沉积70 80nm厚的氮化硅薄膜,起到减反和钝化的作用;最后采用丝网印刷的方式制备金属电极和背场,经烧结后制得晶体硅太阳电池片。采用这种方法生产的单晶硅电池片效率一般在16%-17%左右。在日趋激烈的市场竞争中,越来越多的硅太阳电池片生产厂商将目光投向了选择性发射极硅太阳电池。目前可以制备选择性发射极结构的工艺方法有两次扩散法、涂源扩散+选择性腐蚀、含磷电极衆料、激光掺杂等方式。其中,两次扩散法由于其工艺较为复杂,且多次高温对材 料本身会带来危害。涂源扩散+选择性腐蚀法在硅片表面均匀涂源进行扩散,结相对较深;而在金属化后选择性腐蚀会对电极接触造成影响。印刷含磷浆料的方法无法形成理想的重掺杂浓度及分布。干法激光掺杂事先须在减反射层表面旋涂一层掺杂源,然后用激光按一定的图形进行扫描,在光斑扫过的部分发生 ...
【技术保护点】
一种可控性好的单晶硅太阳能电池,其特征在于,包括P型单晶硅层、N型硅层、SiO2薄膜层、减反射膜层、正电极、背电场,所述的N型硅层设置在P型单晶硅层上,与P型单晶硅层构成PN结,所述的SiO2薄膜层设置在N型硅层上,SiO2薄膜层上表面设置减反射膜层,所述的PN结中间设有横向结,所述的正电极设置在横向结上,所述的背电场设置在P型单晶硅层背面,背电场与P型单晶硅层之间设有P+型硅层,所述的P型单晶硅层为衬底层,所述的N型硅层为离子注入的发射极。
【技术特征摘要】
1.一种可控性好的单晶硅太阳能电池,其特征在于,包括P型单晶硅层、N型硅层、SiO2薄膜层、减反射膜层、正电极、背电场,所述的N型硅层设置在P型单晶硅层上,与P型单晶硅层构成PN结,所述的SiO2薄膜层设置在N型硅层上,SiO2薄膜层上表面设置减反射膜层,所述的PN结中间设有横向结,所述的正电极设置在横向结上,所述的背电场设置在P型单晶硅层背面,背电场与P型单...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹永杰,何干坤,曹永祥,王绍林,张良春,许龙光,
申请(专利权)人:温州宏阳铜业有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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