可控性好的单晶硅太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术提供了一种可控性好的单晶硅太阳能电池，包括P型单晶硅层、N型硅层、Si02薄膜层、减反射膜层、正电极、背电场，所述的N型硅层设置在P型单晶硅层上，与P型单晶硅层构成PN结，所述的Si02，薄膜层设置在N型硅层上，SiO2薄膜层上表面设置减反射膜层，所述的PN结中间设有横向结，所述的正电极设置在横向结上，所迷的背电场设置在P型单晶硅层背面，背电场与P型单晶硅层之间设有P+型硅层。与现有技术相比，本实用新型专利技术具有结面比较平坦、均匀性和重复性好、成本低等优点。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳电池，尤其涉及一种单晶硅太阳能电池。
技术介绍
目前，常规的商业晶体硅太阳能电池工艺技术路线如下首先进行来料分选，然后将晶体硅表面的损伤层清洗干净，并进行制绒以形成一定绒面来减少晶体硅表面反射率；再进行高温扩散制得PN结；采用PECVD方法在电池的扩散面沉积70 80nm厚的氮化硅薄膜，起到减反和钝化的作用；最后采用丝网印刷的方式制备金属电极和背场，经烧结后制得晶体硅太阳电池片。采用这种方法生产的单晶硅电池片效率一般在16%-17%左右。在日趋激烈的市场竞争中，越来越多的硅太阳电池片生产厂商将目光投向了选择性发射极硅太阳电池。目前可以制备选择性发射极结构的工艺方法有两次扩散法、涂源扩散+选择性腐蚀、含磷电极衆料、激光掺杂等方式。其中，两次扩散法由于其工艺较为复杂，且多次高温对材 料本身会带来危害。涂源扩散+选择性腐蚀法在硅片表面均匀涂源进行扩散，结相对较深；而在金属化后选择性腐蚀会对电极接触造成影响。印刷含磷浆料的方法无法形成理想的重掺杂浓度及分布。干法激光掺杂事先须在减反射层表面旋涂一层掺杂源，然后用激光按一定的图形进行扫描，在光斑扫过的部分发生局部熔融而进行掺杂。现有技术存在的问题主要是可控性差。
技术实现思路
本技术的目的就是为了提供一种可控性好，结面比较平坦、均匀性和重复性好的可控性好的单晶硅太阳能电池。为了达到上述目的，本技术采用了以下技术方案一种选择性发射极单晶硅太阳能电池，包括P型单晶硅层、N型硅层、SiO2薄膜层、减反射膜层、正电极、背电场，所述的N型硅层设置在P型单晶硅层上，与P型单晶硅层构成PN结，所述的SiO2薄膜层设置在N型硅层上，SiO2薄膜层上表面设置减反射膜层，所述的PN结中间设有横向结，所述的正电极设置在横向结上，所述的背电场设置在P型单晶硅层背面，背电场与P型单晶硅层之间设有P+型硅层，所述的P型单晶硅层为衬底层，所述的N型硅层为离子注入的发射极。所述的减反射膜层为SiNx薄膜层。所述的正电极为银正电极。所述的背电场为Al电场。本技术的有益效果是I、可控性好采用离子注入法能精确控制掺杂的浓度分布和掺杂深度，因而可以适用于选择性发射极结构两种不同掺杂浓度分布的要求。2、制备电池过程中反应温度低中注入温度一般不超过400°C，退火温度在650°C左右，避免了高温过程带来的不利影响，如结的推移、热缺陷、硅片的变形等；同时避免了大量的高温能耗，降低了选择性发射极硅电池的制作成本。4、结面比较平坦采用的离子注入法所制备的PN结面较为平坦，有利于提高选择性发射极电池的电性能。5、工艺灵活可以穿透表面薄膜注入到下面的衬底中，也可以采用多种材料作掩蔽膜，如SiO2、SiNx或光刻胶等；6、均匀性和重复性好这在大规模生产应用中保证了选择性发射极硅太阳电池产品质量。附图说明图I是本技术的选择性发射极硅太阳电池结构示意图； 图2是图I的A部放大图。具体实施方式实施例I如图1-2所示，一种可控性好的单晶硅太阳能电池，包括P型单晶硅层5 (即为衬底层)、N型硅层4 (为离子注入的发射极)、SiO2薄膜层3、减反射膜层2 (为SiNj^膜层，X为I 3)、正电极I (为Ag电极)、背电场7 (为Al电场),所述的N型娃层4设置在P型单晶硅层5上，与P型单晶硅层5构成PN结12，所述的SiO2薄膜层3设置在N型硅层4上，SiO2薄膜层3上表面设置减反射膜层2，所述的PN结12中间设有横向结11，所述的正电极I设置在横向结11上，所述的背电场7设置在P型单晶硅层5背面，背电场7与P型单晶硅层5之间设有P+型硅层6。上述太阳能电池的制备方法包括以下步骤(I)对P型单晶硅片层5表面进行清洗制绒，清洗制绒采用NaOH、异丙醇、制绒添加剂和去离子水的混合物对单晶硅片清洗；所述的NaOH的质量浓度为1°/Γ3%，所述的制绒添加剂为市售制绒添加剂DY-810，所述的混合物中NaOH、异丙醇、制绒添加剂和去离子水的体积比为5 9 1 150 ；(2)燃后对其一面进行离子注入磷元素形成N型硅层4，然后N型硅层4和P型单晶硅片层5构成形成PN结12，离子注入是将磷元素杂质电离成离子并聚焦成离子束，在电场中加速而获得极高的动能后，注入到硅中而实现掺杂，注入温度为200°C，掺杂的浓度分布为IO18Cm3,掺杂的深度为O. I μ m ;(3)在600°C 700°C进行退火并生长氧化层SiO2薄膜3;(4)由反应气体氨气和硅烷通过等离子体增强化学气相沉积法在N型表面继续沉积一层钝化和减反膜即SiNx薄膜2，SiNx薄膜2为70nm的单层氮化硅薄膜；(5)对主栅和副栅所处位置采用喷墨或丝网印刷酸性腐蚀剂氢氟酸或硝酸进行清洗，采用离子注入的方法进行重掺杂并快速退火，形成横向结11，重掺杂的浓度分布为1019cm3，深度为O. 5um;所述的快速退火温度为600°C，时间为I分钟；(6)采用质量浓度为1%的氢氟酸进行I分钟的漂洗，清洗表面，去除保护膜；(7)然后丝网印刷背面电极背电场7并烘干、采用丝网印刷设备或电镀方法制备正电极I ;(8)最后在500°C进行烧结，P型单晶硅片5和背电场7经过烧结中间形成一层掺Al的P+型硅即得产品。离子注入是一种对半导体进行掺杂的方法。将杂质电离成离子并聚焦成离子束，在电场中加速而获得极高的动能后，注入到硅中而实现掺杂。注入到半导体中的受主或施主杂质大部分都俘留在间隙位置处，经过适当温度的退火处理，可以使注入杂质原子的全部或大部分从间隙位置进入替位位置而释放出载流子，从而改变半导体的电特性；同时退火处理也可以减少注入损伤。本技术利用了离子注入法的高可控性，使P型单晶硅片中形成预定的掺杂浓度分布及掺杂深度，并通过二次离子注入形成选择性发射极结构。实施例2本技术可控性好的单晶硅太阳能电池还可采用以下方法制备(I)对P型单晶硅片表面进行清洗制绒，清洗制绒采用NaOH、异丙醇、制绒添加剂和去离子水的混合物对单晶硅片清洗；所述的NaOH的质量浓度为1% 3%，所述的制绒添加剂为市售制绒添加剂DY-810，所述的混合物中NaOH、异丙醇、制绒添加剂和去离子水的体积比为5 9 1 150 ；(2)然后对其一面进行离子注入磷元素形成N型硅，然后N型硅和P型单晶硅片构成形成PN结，离子注入是将磷元素杂质电离成离子并聚焦成离子束，在电场中加速而获得极高的动能后，注入到硅中而实现掺杂，注入温度为400°C，掺杂的浓度分布为102° / cm3,掺杂的深度为O. 4um;(3)在700°C进行退火并生长氧化层SiO2薄膜；(4)由反应气体氨气和硅烷通过等离子体增强化学气相沉积法在N型表面继续沉积一层钝化和减反膜即SiNx薄膜，SiNx薄膜为90nm的双层氮化硅薄膜；(5)对主栅和副栅所处位置采用532nm或1064nm波长的激光进行激光刻蚀清洗，采用离子注入的方法进行重掺杂并快速退火，形成横向结，重掺杂的浓度分布为IO21 /cm3，深度为2 μ m;所述的快速退火温度为700°C，时间为10分钟；(6)采用5%的氢氟酸进行5分钟的漂洗，清洗表面，去除保护膜；(7)然后丝网印刷背面电极背电场并烘干、采用常规的丝网印刷设备或普通的电镀方法制备正电极；(8)最后本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可控性好的单晶硅太阳能电池，其特征在于，包括P型单晶硅层、N型硅层、SiO2薄膜层、减反射膜层、正电极、背电场，所述的N型硅层设置在P型单晶硅层上，与P型单晶硅层构成PN结，所述的SiO2薄膜层设置在N型硅层上，SiO2薄膜层上表面设置减反射膜层，所述的PN结中间设有横向结，所述的正电极设置在横向结上，所述的背电场设置在P型单晶硅层背面，背电场与P型单晶硅层之间设有P+型硅层，所述的P型单晶硅层为衬底层，所述的N型硅层为离子注入的发射极。

【技术特征摘要】
1.一种可控性好的单晶硅太阳能电池，其特征在于，包括P型单晶硅层、N型硅层、SiO2薄膜层、减反射膜层、正电极、背电场，所述的N型硅层设置在P型单晶硅层上，与P型单晶硅层构成PN结，所述的SiO2薄膜层设置在N型硅层上，SiO2薄膜层上表面设置减反射膜层，所述的PN结中间设有横向结，所述的正电极设置在横向结上，所述的背电场设置在P型单晶硅层背面，背电场与P型单...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹永杰，何干坤，曹永祥，王绍林，张良春，许龙光，
申请(专利权)人：温州宏阳铜业有限公司，
类型：实用新型
国别省市：