晶片封装体及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底，具有一第一表面及一第二表面；一光电元件，形成于该基底之中；一导电层，设置于该基底之上，其中该导电层电性连接该光电元件；一绝缘层，设置于该基底与该导电层之间；一第一遮光层，设置于该基底的该第二表面之上；以及一第二遮光层，设置于该第一遮光层之上，且直接接触该第一遮光层，其中一接触界面介于该第一遮光层与该第二遮光层之间。本发明专利技术通过遮光层阻挡及/或吸收外界的光线而可使晶片封装体的运作更为顺利，且本发明专利技术具有多层彼此直接接触的遮光层而可使遮光层的整体厚度提升。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于晶片封装体及其形成方法，且特别是有关于光电元件晶片封装体及其形成方法。
技术介绍
光感测元件或发光元件等光电元件在撷取影像或提供光线的应用中扮演着重要的角色。这些光电元件均已广泛地应用于例如是数字照相机(digital camera)、数字摄像机(digital video recorder)、手机(mobile phone)、太阳能电池、屏幕、照明设备等的电子广品中。随着科技的演进，对于光感测元件的感测精准度或发光元件的发光精准度的需求亦随之提闻。
技术实现思路
本专利技术提供一种晶片封装体，包括一基底，具有一第一表面及一第二表面；一光电元件，形成于该基底之中；一导电层，设置于该基底之上，其中该导电层电性连接该光电兀件；一绝缘层，设置于该基底与该导电层之间；一第一遮光层，设置于该基底的该第二表面之上；以及一第二遮光层，设置于该第一遮光层之上，且直接接触该第一遮光层，其中一接触界面介于该第一遮光层与该第二遮光层之间。本专利技术所述的晶片封装体，还包括一导电凸块，设置于该基底的该第二表面上，且电性接触该导电层。本专利技术所述的晶片封装体，还包括一保护层，设置于该基底的该第二表面与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片封装体，其特征在于，包括：一基底，具有一第一表面及一第二表面；一光电元件，形成于该基底之中；一导电层，设置于该基底之上，其中该导电层电性连接该光电元件；一绝缘层，设置于该基底与该导电层之间；一第一遮光层，设置于该基底的该第二表面之上；以及一第二遮光层，设置于该第一遮光层之上，且直接接触该第一遮光层，其中一接触界面介于该第一遮光层与该第二遮光层之间。

【技术特征摘要】
2011.07.29 US 61/513,4871.一种晶片封装体，其特征在于，包括 一基底，具有一第一表面及一第二表面； 一光电兀件，形成于该基底之中； 一导电层，设置于该基底之上，其中该导电层电性连接该光电元件； 一绝缘层，设置于该基底与该导电层之间； 一第一遮光层，设置于该基底的该第二表面之上；以及 一第二遮光层，设置于该第一遮光层之上，且直接接触该第一遮光层，其中一接触界面介于该第一遮光层与该第二遮光层之间。2.根据权利要求I所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一导电凸块，设置于该基底的该第二表面上，且电性接触该导电层。3.根据权利要求I所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一保护层，设置于该基底的该第二表面与该第一遮光层之间。4.根据权利要求3所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一导电凸块，设置于该基底的该第二表面上，且穿过该保护层而电性接触该导电层。5.根据权利要求I所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一穿孔，自该第二表面朝该第一表面延伸，其中该绝缘层延伸于该穿孔的一侧壁上，且延伸至该基底的该第二表面上，且该导电层延伸至该穿孔中的该绝缘层之上。6.根据权利要求I所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一透明基底，设置于该基底的该第一表面上。7.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一间隔层，设置于该基底与该透明基底之间，其中该间隔层、该基底及该透明基底共同于该光电元件之上围绕出一空腔。8.根据权利要求I所述的晶片封装体，其特征在于，该第一遮光层的材质与该第二遮光层的材质相同。9.根据权利要求I所述的晶片封装体，其特征在于，还包括至少一第三遮光层，设置于该第二遮光层之上。10.根据权利要求9所述的晶片封装体，其特征在于，该至少一第三遮光层直接接触该第二遮光层。11.一种晶片封装体的形成方法，其特征在于，包括 提供一基底，具有一第一表面及一第二表面，其中该基底之中形成有至少一光...

【专利技术属性】
技术研发人员：许传进，林柏伸，张义民，杨蕙菁，赖炯霖，
申请(专利权)人：精材科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：