晶片封装体及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底，具有一第一表面及一第二表面；一光电元件，形成于该基底之中；一导电层，设置于该基底之上，其中该导电层电性连接该光电元件；一绝缘层，设置于该基底与该导电层之间；一第一遮光层，设置于该基底的该第二表面之上；以及一第二遮光层，设置于该第一遮光层之上，且直接接触该第一遮光层，其中一接触界面介于该第一遮光层与该第二遮光层之间。本发明专利技术通过遮光层阻挡及/或吸收外界的光线而可使晶片封装体的运作更为顺利，且本发明专利技术具有多层彼此直接接触的遮光层而可使遮光层的整体厚度提升。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于晶片封装体及其形成方法，且特别是有关于光电元件晶片封装体及其形成方法。
技术介绍
光感测元件或发光元件等光电元件在撷取影像或提供光线的应用中扮演着重要的角色。这些光电元件均已广泛地应用于例如是数字照相机(digital camera)、数字摄像机(digital video recorder)、手机(mobile phone)、太阳能电池、屏幕、照明设备等的电子广品中。随着科技的演进，对于光感测元件的感测精准度或发光元件的发光精准度的需求亦随之提闻。
技术实现思路
本专利技术提供一种晶片封装体，包括一基底，具有一第一表面及一第二表面；一光电元件，形成于该基底之中；一导电层，设置于该基底之上，其中该导电层电性连接该光电兀件；一绝缘层，设置于该基底与该导电层之间；一第一遮光层，设置于该基底的该第二表面之上；以及一第二遮光层，设置于该第一遮光层之上，且直接接触该第一遮光层，其中一接触界面介于该第一遮光层与该第二遮光层之间。本专利技术所述的晶片封装体，还包括一导电凸块，设置于该基底的该第二表面上，且电性接触该导电层。本专利技术所述的晶片封装体，还包括一保护层，设置于该基底的该第二表面与该第一遮光层之间。本专利技术所述的晶片封装体，还包括一导电凸块，设置于该基底的该第二表面上，且穿过该保护层而电性接触该导电层。本专利技术所述的晶片封装体，还包括一穿孔，自该第二表面朝该第一表面延伸，其中该绝缘层延伸于该穿孔的一侧壁上，且延伸至该基底的该第二表面上，且该导电层延伸至该穿孔中的该绝缘层之上。本专利技术所述的晶片封装体，还包括一透明基底，设置于该基底的该第一表面上。本专利技术所述的晶片封装体，还包括一间隔层，设置于该基底与该透明基底之间，其中该间隔层、该基底及该透明基底共同于该光电元件之上围绕出一空腔。本专利技术所述的晶片封装体，该第一遮光层的材质与该第二遮光层的材质相同。本专利技术所述的晶片封装体，还包括至少一第三遮光层，设置于该第二遮光层之上。本专利技术所述的晶片封装体，该至少一第三遮光层直接接触该第二遮光层。本专利技术提供一种晶片封装体的形成方法，包括提供一基底，具有一第一表面及一第二表面，其中该基底之中形成有至少一光电兀件；于该基底上形成一绝缘层；于该基底上的该绝缘层之上形成一导电层，其中该导电层电性连接该至少一光电元件；于该基底的该第二表面上形成一第一遮光层；以及于该第一遮光层上形成一第二遮光层，其中该第二遮光层直接接触该第一遮光层，且一接触界面介于该第一遮光层与该第二遮光层之间。本专利技术所述的晶片封装体的形成方法，形成该第一遮光层的步骤包括于该基底的该第二表面上涂布一高分子溶液以形成一遮光材料层；以及对该遮光材料层进行一曝光制程及一显影制程以形成该第一遮光层。本专利技术所述的晶片封装体的形成方法，在形成该第二遮光层之前，还包括将该第一遮光层硬化。本专利技术所述的晶片封装体的形成方法，将该第一遮光层硬化的步骤包括对该第一遮光层进行一加热制程。本专利技术所述的晶片封装体的形成方法，该加热制程包括将该第一遮光层的温度提 升至150°C至250°C之间，并维持15分钟至I小时。本专利技术所述的晶片封装体的形成方法，形成该第二遮光层的步骤包括于硬化后的该第一遮光层上涂布一第二高分子溶液以形成一第二遮光材料层；以及对该第二遮光材料层进行一曝光制程及一显影制程以形成该第二遮光层。本专利技术所述的晶片封装体的形成方法，还包括将该第二遮光层硬化，其中将该第二遮光层硬化的步骤包括对该第二遮光层进行一加热制程。本专利技术所述的晶片封装体的形成方法，还包括于该第二遮光层之上，形成一第三遮光层。本专利技术所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括于该基底与该遮光层之间形成一保护层；以及在形成该第一遮光层之前，将该保护层平坦化。本专利技术所述的晶片封装体的形成方法，还包括沿着该基底上的多个预定切割道进行一切割制程以形成彼此分离的多个晶片封装体。本专利技术通过遮光层阻挡及/或吸收外界的光线而可使晶片封装体的运作更为顺利，且本专利技术具有多层彼此直接接触的遮光层而可使遮光层的整体厚度提升。附图说明图IA及IB分别显示本专利技术专利技术人所知的一种晶片封装体的剖面图及其局部放大图。图2A-2B显示根据本专利技术一实施例的晶片封装体的制程剖面图。图3A-3B显示根据本专利技术另一实施例的晶片封装体的制程剖面图。图4A-4C显示根据本专利技术又一实施例的晶片封装体的剖面图。附图中符号的简单说明如下10 :晶片封装体；100 :基底；IOOaUOOb :表面；102 :光电元件；104 :绝缘层；105 透镜；106 :导电垫结构；108 :间隔层；109 :空腔；110 :基底；112 :穿孔；114 :绝缘层；115 保护层；115a :填充物；116 :导电层;118a、118b、118c :遮光层;119、119a、119b :界面；120 导电凸块；SC :切割道。具体实施例方式以下将详细说明本专利技术实施例的制作与使用方式。然应注意的是，本专利技术提供许多可供应用的专利技术概念，其可以多种特定形式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为制造与使用本专利技术的特定方式，非用以限制本专利技术的范围。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本专利技术，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间必然具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触或间隔有一或更多其他材料层的情形。 本专利技术一实施例的晶片封装体可用以封装光电元件，例如光感测元件或发光元件。然其应用不限于此，例如在本专利技术的晶片封装体的实施例中，其可应用于各种包含有源元件或无源元件(active or passive elements)、数字电路或模拟电路(digitalor analog circuits)等集成电路的电子兀件(electronic components),例如是有关于光电兀件(opto electronic devices)、微机电系统(Micro Electro MechanicalSystem;MEMS)、微流体系统(micro fluidic systems)或利用热、光线及压力等物理量变化来测量的物理感测器(Physical Sensor)。特别是可选择使用晶圆级封装(waferscale package;WSP)制程对影像感测元件、发光二极管(light-emitting diodes;LEDs)、太阳能电池(solar cells)、射频元件(RF circuits)、加速计(accelerators)、陀螺仪(gyroscopes)、微制动器(micro actuators)、表面声波兀件(surface acoustic wavedevices)、压力感测器(process sensors)、喷墨头(ink printer heads)或功率金氧半电晶体晶片(power MOSFET chips)等半导体晶片进行封装。其中上述晶圆级封装制程主要指在晶圆阶段完成封装步骤后，再予以切割成独立的封装体，然而，在一特定实施例中，例如将已分离的半导体晶片重新分布在一承载晶圆上，再进行封装制程，亦可称之为晶圆级封装制程。另外，上述晶圆级封装制程亦适用于借堆叠(stack)方式安排具有集成电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片封装体，其特征在于，包括：一基底，具有一第一表面及一第二表面；一光电元件，形成于该基底之中；一导电层，设置于该基底之上，其中该导电层电性连接该光电元件；一绝缘层，设置于该基底与该导电层之间；一第一遮光层，设置于该基底的该第二表面之上；以及一第二遮光层，设置于该第一遮光层之上，且直接接触该第一遮光层，其中一接触界面介于该第一遮光层与该第二遮光层之间。

【技术特征摘要】
2011.07.29 US 61/513,4871.一种晶片封装体，其特征在于，包括 一基底，具有一第一表面及一第二表面； 一光电兀件，形成于该基底之中； 一导电层，设置于该基底之上，其中该导电层电性连接该光电元件； 一绝缘层，设置于该基底与该导电层之间； 一第一遮光层，设置于该基底的该第二表面之上；以及 一第二遮光层，设置于该第一遮光层之上，且直接接触该第一遮光层，其中一接触界面介于该第一遮光层与该第二遮光层之间。2.根据权利要求I所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一导电凸块，设置于该基底的该第二表面上，且电性接触该导电层。3.根据权利要求I所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一保护层，设置于该基底的该第二表面与该第一遮光层之间。4.根据权利要求3所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一导电凸块，设置于该基底的该第二表面上，且穿过该保护层而电性接触该导电层。5.根据权利要求I所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一穿孔，自该第二表面朝该第一表面延伸，其中该绝缘层延伸于该穿孔的一侧壁上，且延伸至该基底的该第二表面上，且该导电层延伸至该穿孔中的该绝缘层之上。6.根据权利要求I所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一透明基底，设置于该基底的该第一表面上。7.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一间隔层，设置于该基底与该透明基底之间，其中该间隔层、该基底及该透明基底共同于该光电元件之上围绕出一空腔。8.根据权利要求I所述的晶片封装体，其特征在于，该第一遮光层的材质与该第二遮光层的材质相同。9.根据权利要求I所述的晶片封装体，其特征在于，还包括至少一第三遮光层，设置于该第二遮光层之上。10.根据权利要求9所述的晶片封装体，其特征在于，该至少一第三遮光层直接接触该第二遮光层。11.一种晶片封装体的形成方法，其特征在于，包括 提供一基底，具有一第一表面及一第二表面，其中该基底之中形成有至少一光...

【专利技术属性】
技术研发人员：许传进，林柏伸，张义民，杨蕙菁，赖炯霖，
申请(专利权)人：精材科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：