一种肖特基二极管及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种肖特基二极管，包括衬底层以及形成在衬底层上方的一系列Ⅲ族氮化物层，利用异质结结构，使相邻Ⅲ族氮化物层之间形成二维电子气沟道，Ⅲ族氮化物层与阴极电极形成欧姆接触，Ⅲ族氮化物层与阳极电极形成肖特基接触；还包括与阳极电极连接的金属场板以及填充在金属场板和最上层的Ⅲ族氮化物层之间的至少一个具有P型掺杂的Ⅲ族氮化物增强层。本发明专利技术提供的肖特基二极管能够同时提高反向耐压能力和正向导通能力。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种肖特基二极管及其制备方法，属于半导体

技术介绍
二极管在功率电路中有着非常广泛的应用，典型的功率电路期望的理想二极管应该包括以下特性第一、当器件处于反偏状态时(阴极电压远高于阳极电压)，二极管需要能够承担尽可能高的电压，其耐压大小取决于电路对器件的性能要求，在很多高压功率切换应用中，需要二极管能够承担600V或1200V的反压；第二、当器件处于正偏状态时，又需要其正向导通电压尽可能低，以此来减小导通损耗，即需要足够低的正向导通电阻 ’第三、反偏时储存在二极管中的电荷要尽可能低，以保证转换过程中的低开关损耗。肖特基二极管是以金属(金、银、铝、钼等)为阳极，以N型半导体为阴极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。传统硅功率半导体材料形成的肖特基二极管的反向耐压能力和正向导通能力都不尽如人意。III - V族氮化物半导体材料以其相对于第一代硅功率半导体材料的更优秀的导通和阻断能力而成为半导体材料的优秀代表，人们纷纷研究利用III - V族氮化物半导体材料来制作半导体器件。目前，使用异质结结构的氮化物半导体器件已经广为人知。现有技术中已经出现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种肖特基二极管，包括衬底层以及形成在所述衬底层上方的一系列Ⅲ族氮化物层，相邻所述Ⅲ族氮化物层之间形成二维电子气沟道，所述Ⅲ族氮化物层与阴极电极形成欧姆接触，所述Ⅲ族氮化物层与阳极电极形成肖特基接触；其特征在于：还包括与阳极电极连接的金属场板以及填充在所述金属场板和最上层的Ⅲ族氮化物层之间的具有P型掺杂的Ⅲ族氮化物增强层。

【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管，包括衬底层以及形成在所述衬底层上方的一系列III族氮化物层，相邻所述III族氮化物层之间形成二维电子气沟道，所述III族氮化物层与阴极电极形成欧姆接触，所述III族氮化物层与阳极电极形成肖特基接触； 其特征在于 还包括与阳极电极连接的金属场板以及填充在所述金属场板和最上层的III族氮化物层之间的具有P型掺杂的III族氮化物增强层。2.根据权利要求I所述的肖特基二极管，其特征在于所述III族氮化物层为GaN层和AlGaN 层。3.根据权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于最上层的所述III族氮化物层为AlGaN 层。4.根据权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于最上层的所述III族氮化物层为GaN 层。5.根据权利要求1-4中任一项所述的肖特基二极管，其特征在于所述具有P型掺杂的III族氮化物增强层为P型掺杂的GaN层。6.根据权利要求5所述的肖特基二极管，其特征在于所述P型掺杂的GaN层的掺杂浓度位于lE13-lE20/cm3之间。7.根据权利要求6所述的肖特基二极管，其特征在于所述P型掺杂的GaN层在与最上层的所述III族氮化物层接触的不同区域的掺杂浓度不同，所述掺杂浓度沿着向阴极延伸的方向逐渐增大。8.根据权利要求1-7中任一项所述的肖特基二极管，其特征在于所述金属场板具有与最上层的所述III族氮化物层接触的部分和不与最上层的所述III族氮化物层接触的向外延伸的部分，所述具有P型掺杂的III族氮化物增强层位于所述向外延伸的部分与最上层的所述III族氮化物层形成的填充间隙之间。9.根据权利要求8所述的肖特基二极管，其特征在于所述具有P型掺杂的III族氮化物增强层为圆环形。10.根据权利要求9所述的肖特基二极管，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢刚，汤岑，盛况，郭清，汪涛，崔京京，
申请(专利权)人：苏州英能电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：