含场板结构的横向双极型晶体管制造技术

本发明专利技术涉及一种含场板结构的横向双极型晶体管，自下而上包括衬底，缓冲区，集电区，基区，发射区，分别在所述集电区和所述基区的上部边界处通过离子注入的方式形成欧姆接触区，分别在所述集电区、所述基区、所述发射区通过金属淀积的方式形成金属电极，发射极位于所述发射区上，集电极位于所述集电区的欧姆接触区之上，基极位于所述基区的欧姆接触区之上，其特征在于，在所述集电区、所述基区、所述发射区外部设置有氧化层，在所述基区、所述集电区或者所述发射区中的一个或多个上设置有场板。本发明专利技术通过场板结构，增强漂移区的耗尽，来减小漂移区内的峰值电场，使得在相同的漂移区长度下可以承担更高的阻断电压，明显提高器件的阻断电压等级。

【技术实现步骤摘要】
含场板结构的横向双极型晶体管
本专利技术涉及一种晶体管，具体是一种含场板结构的横向双极型晶体管。
技术介绍
当今社会电力电子集成技术的应用越来越广泛，然而由于电力电子装置的复杂性，使得电力电子集成技术的广泛应用存在巨大障碍。一方面众多领域需要大量使用电力电子装置，而另一方面，电力电子装置面向的应用千差万别，使得设计、生产和维护需要耗费大量的人力和物力，给普及和推广造成巨大障碍，成为电能利用技术进步的瓶颈。目前国际电力电子学界普遍认为，电力电子集成技术是解决电力电子技术发展面临障碍的最有希望的出路。平面型电力电子器件由于其耐高压且易于集成的特性在电力电子集成领域具有巨大的应用潜力。横向双极型晶体管(LBJT)是以两个反向连结的PN结组成的NPN或者PNP为基本结构，通过基极电流驱动来获得其开关特效的电力电子器件。横向双极型晶体管(LBJT)在较低的偏置电压下可以获得更高的电流密度，高温性能稳定，并且不存在MOS结构栅氧稳定性问题。在功率集成电路(PICs)中，横向双极型晶体管(LBJT)通常采用具有反向阻断电压高、比导通电阻低的单重降低表面电场(Sigle RESURF)结构，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含场板结构的横向双极型晶体管，自下而上包括衬底，缓冲区，集电区，基区，发射区，分别在所述集电区和所述基区的上部边界处通过离子注入的方式形成欧姆接触区，分别在所述集电区、所述基区、所述发射区通过金属淀积的方式形成金属电极，发射极位于所述发射区上，集电极位于所述集电区的欧姆接触区之上，基极位于所述基区的欧姆接触区之上，其特征在于：在所述集电区、所述基区、所述发射区外部设置有氧化层，在所述基区、所述集电区或者所述发射区中的一个或多个上设置有场板。

【技术特征摘要】
1.一种含场板结构的横向双极型晶体管，自下而上包括衬底，缓冲区，集电区，基区，发射区，分别在所述集电区和所述基区的上部边界处通过离子注入的方式形成欧姆接触区，分别在所述集电区、所述基区、所述发射区通过金属淀积的方式形成金属电极，发射极位于所述发射区上，集电极位于所述集电区的欧姆接触区之上，基极位于所述基区的欧姆接触区之上，其特征在于:在所述集电区、所述基区、所述发射区外部设置有氧化层，在所述基区、所述集电区或者所述发射区中的一个或多个上设置有场板。2.根据权利要求1所述的含场板结构的横向双极型晶体管，其特征在于:在所述基区上设置有基极场板，所述基区、所述集电区的外表面设置有氧化层，所述基极场板设置在所述氧化层上部，所述基极场板一端与所述基极连接。3.根据权利要求1所述的含场板结构的横向双极型晶体管，其特征在于:在所述集电区上设置有集电极场板，所述基区、所述集电区的外表面设置有氧化层，所述集电极场板设置在所述氧化层上部，所述集电极场板的一端与所述集电极连接。4.根据权利要求1所述的含场板结构的横向双极型晶体管，其特征在于:在所述发射区上设置有发射极场板，所述基区、所述集电区、所述发射区、所述基极的外表面设置有氧化层，所述发射极场板设置在所述氧化层上部，所述发射极场板的一端与所述发射极连接。5.根据权利要求1所述的含场板结构的横向双极...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔京京，张作钦，
申请(专利权)人：苏州英能电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：