半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体装置，包括第一导电类型的衬底、作为基极区域使用的第二导电类型外延层、第二导电类型埋入扩散层、作为基极引出区域使用的第二导电类型扩散层、作为发射极区域使用的第一导电类型扩散层、作为集电极区域使用的第一导电类型扩散层；其特征在于，在所述作为基极区域使用的第二导电类型外延层中扩散有钨。该结构利用钨的高能级使从发射极注入的空穴和存在于基极区域的许多载流子即电子再结合，从而能够提高半导体装置的电流放大率；同时能够降低污染。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001 ] 本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
现有技术中，一种横型PNP晶体管的结构为在P型半导体衬底上形成有低浓度的N型外延区域。跨P型半导体衬底和N型外延区域形成有N型杂质埋入区域。在外延区域形成有第一 N型杂质区域。第一 N型杂质区域的浓度比N型外延区域的浓度高2?3倍。而且，在第一 N型杂质区域形成有作为基极区域的第二 N型杂质区域、作为发射极区域的第一 P型杂质区域以及作为集电极区域的第二 P型杂质区域。另一种常见的横型PNP晶体管结构为在P型半导体衬底上形成有N型外延层。跨P型半导体衬底和N型外延层形成有N型埋入扩散层。在N型外延层上形成有作为基极区域的N型扩散层、作为发射极区域的P型扩散层以及作为集电极区域的P型扩散层。而且，作为集电极区域的P型扩散层在作为发射极区域的P型扩散层的周围圆环状形成。现有技术中PNP晶体管的制造方法包括:准备P型硅单晶衬底，在衬底上形成热氧化膜。对热氧化膜进行构图，在形成有N型扩散层的区上形成开口部。而且，在衬底上涂敷含有硼(B)和作为寿命抑制剂的钼(Pt)这两者的液体源极，形成扩散源膜。其后，通过在非氧化气本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括第一导电类型的衬底、作为基极区域使用的第二导电类型外延层、第二导电类型埋入扩散层、作为基极引出区域使用的第二导电类型扩散层、作为发射极区域使用的第一导电类型扩散层、作为集电极区域使用的第一导电类型扩散层；其特征在于，在所述作为基极区域使用的第二导电类型外延层中扩散有钨。

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括第一导电类型的衬底、作为基极区域使用的第二导电类型外延层、第二导电类型埋入扩散层、作为基极引出区域使用的第二导电类型扩散层、作为发射极区域使用的第一导电类型扩散层、作为集电极区域使用的第一导电类型扩散层；其特征在于，在所述作为基极区域使用的第二导电类型外延层中扩散有钨。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述衬底为单晶衬底。3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述衬底为单...

【专利技术属性】
技术研发人员：丛国芳，
申请(专利权)人：溧阳市东大技术转移中心有限公司，
类型：发明
国别省市：