一种黄铜矿结构的稀磁半导体材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了属于稀磁半导体材料制备技术领域的一种黄铜矿结构的稀磁半导体材料及其制备方法。该稀磁半导体材料的化学式为CuS1-xTxTe2；其中，S为Ga或In，T为Co、Mn、或Fe，x＝0-0.4。根据CuS1-xTxTe2的化学计量比配置Cu、S、T、Te四种单质元素；将Cu、S、T熔炼成Cu-S-T前驱合金后与Te混合研磨成粉并压制成片，对其热处理后冷却，然后真空研磨成粉并烘干后得到粗品，经抽滤后得到该稀磁半导体材料。制成稀磁半导体材料更好地控制了非挥发性元素与挥发性元素之间的化学比例，并通过控制热处理时的温度，获得了杂相较少、成分均匀且具有室温铁磁性的黄铜矿结构的稀磁半导体材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于稀磁半导体材料制备
，具体涉及一种黄铜矿结构的稀磁半导体材料及其制备方法。
技术介绍
稀磁半导体(DilutedMagneticSemiconductors,DMS)一般是通过在半导体中引入少量的磁性离子而得到，可以将电荷自由度和自旋自由度结合起来，同时具备了磁性材料和半导体材料的特性，可以利用载流子控制技术产生磁性。稀磁半导体材料具有很多独特的性质，如巨磁光效应、巨负磁阻效应、反常霍尔效应等。这类材料在新型磁电、磁光和光电器件领域展现出了非常广阔的应用前景。从而稀磁半导体材料作为一种新兴的功能材料获得了广泛的关注。但是决定稀磁半导体能否具有实际应用的关键是在室温以及高于室温时，能否依旧保持铁磁性。因此制备具有室温铁磁性的稀磁半导体材料成为人们研究的热点。Dietl采用平均场近似从理论上预言了氧化锌(ZnO)可以通过元素掺杂得到室温铁磁性的稀磁半导体。人们选择不同原料，采用化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延等方法来制备ZnO基稀磁半导体。然本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种黄铜矿结构的稀磁半导体材料，其特征在于，所述稀磁半导体材料的化学式为CuS1‑xTxTe2；其中，S为Ga或In，T为Co、Mn、或Fe，x＝0‑0.4。

【技术特征摘要】
1.一种黄铜矿结构的稀磁半导体材料，其特征在于，所述稀磁半导体材料
的化学式为CuS1-xTxTe2；其中，S为Ga或In，T为Co、Mn、或Fe，x＝0-0.4。
2.根据权利要求1所述的一种黄铜矿结构的稀磁半导体材料，其特征在于，
所述稀磁半导体材料的晶体结构为黄铜矿结构。
3.根据权利要求1所述的一种黄铜矿结构的稀磁半导体材料，其特征在于，
所述的稀磁半导体材料具有室温铁磁性。
4.权利要求1-3任一项所述的一种黄铜矿结构的稀磁半导体材料的制备方
法，其特征在于，所述制备包括以下步骤：
(1)根据化学式CuS1-xTxTe2的化学计量比配制Cu、S、T、Te四种单质元素；
(2)在惰性气体的保护下反复熔炼Cu、S、T单质3-4遍，得到成分均匀的
Cu-S-T前驱合金；
(3)将Cu-S-T前驱合金和Te混合后研磨成粉，并用压片机压制成片；
(4)将压制成的片装入充满惰性气体的真空石英玻璃管中，并将其置于马弗
炉中在300-800℃下进行热处理；
(5)重复步骤(4)1-2遍，获得经热处理后的样品；
(6)取出经热处...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭永权，解娜娜，
申请(专利权)人：华北电力大学，
类型：发明
国别省市：北京;11