温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体装置，包括第一导电类型的衬底、作为基极区域使用的第二导电类型外延层、第二导电类型埋入扩散层、作为基极引出区域使用的第二导电类型扩散层、作为发射极区域使用的第一导电类型扩散层、作为集电极区域使用的第一导电类型扩散层；其特...
该专利属于溧阳市东大技术转移中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过溧阳市东大技术转移中心有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。