【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种大功率整晶圆平板压接式封装结构，包括压接而成的上盖和下盖，其两端设置有瓷环和密封组件，其特征在于：所述上盖和所述下盖形成的腔内依次压接设置有阴极电极金属板、绝缘层板、门极电极金属板、IGBT整晶圆和阳极电极金属板，所述IGBT整晶圆上分布设有多个晶圆单元，所述晶圆单元包括IGBT晶圆阴极区域和IGBT晶圆门极区域，所述阴极电极金属板上分布有阴极凸起电极，所述门极电极金属板上分布有门极凸起电极以及适于所述阴极凸起电极穿过的阴极通孔，所述绝缘层板上分布有适于所述阴极凸起电极穿过的绝缘层板通孔，压接时，所述阴极凸起电极依次穿过所述绝缘层板和门极电极金属板，且与所述IGBT晶圆阴极区域连接，所述门极凸起电极与所述IGBT晶圆门极区域连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：盛况，汤岑，谢刚，郭清，
申请(专利权)人：苏州英能电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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