开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座制造技术

本发明专利技术提供一种开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座，其中上盖的下表面上设置有至少一个保护支撑部件，保护支撑部件的下表面与上盖的下表面平行，高度H1减去散热器的高度H2用于等于待测芯片的高度H3，和散热器间隔设置且两者之间的空间用于容纳芯片固定座的侧壁，下表面的靠近上盖的一端的端部在上盖的下表面上的射影和上盖的一端之间的第一距离L1小于散热器的下表面的靠近上盖的一端的端部在上盖的下表面上的射影和上盖的一端之间的第二距离L2。本发明专利技术的开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座能够在开关动作时其散热器不与待测芯片产生直接接触，避免因插座构造造成待测芯片受损，保证测试结果的准确性和可信度，适于大规模推广应用。

Open top wafer level packaging chip burn-in test socket

The invention provides a lid type wafer level package chip burn-in socket, wherein the upper cover arranged on the lower surface of at least one protection supporting member, protection support member the lower surface of the lower surface and the upper cover is parallel to the height of H2 height H1 minus the radiator for H3 is equal to the height of a chip to be tested, and the radiator set the interval and the space between the two is used for holding the chip fixing seat side wall, the second distance L2 between the end of projection on the lower surface of the upper cover and the end of the end of the first L1 distance less than the radiator of the lower surface of the upper lid between the end of projection on the lower surface of the upper cover and one end is near the upper cover under the surface of the upper cover of the upper cover of the. The invention of the lid type wafer level chip aging testing socket can switch the radiator and the chip to be tested have direct contact, avoid the chip to be tested for damage socket structure, ensure the accuracy and reliability of test results, suitable for application in large scale.

【技术实现步骤摘要】
开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座
本专利技术涉及芯片老化测试插座
，特别涉及开盖式芯片老化测试插座
，具体是指一种开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座。
技术介绍
在芯片老化测试阶段，需有芯片承载老化测试插座以实现方便多次拿取芯片。因芯片封装种类众多，对应不同封装类型，现有许多不同的老化测试插座，其机械结构皆有些许差异。请参见图1所示，图1显示的是一种开盖式芯片老化测试插座，其包括底座1、芯片固定座2、上盖3和散热器4，上盖3的一端31可转动连接底座1的一端11，芯片固定座2设置在底座1上，芯片固定座2用于在其中放置待测芯片5，散热器4设置在上盖3的下表面32上并朝向芯片固定座2，散热器4的下表面41与上盖3的下表面32平行。使用时，将待测芯片5置于芯片固定座2中，然后朝向底座1旋转上盖3，散热器4的下表面41沿靠近上盖3的一端31的端部至远离上盖3的一端31的端部的方向逐渐抵靠待测芯片5，直至散热器4的下表面41与待测芯片5平行接触；取出待测芯片5时，向上旋转上盖3，散热器4的下表面41沿远离上盖3的一端31的端部至靠近上盖3的一端31的端部的方向逐渐远离待测芯片5。因此，上述开盖式芯片老化测试插座的上盖3开关时产生角度变化导致散热器4对待测芯片5的一端产生压力，易使待测芯片5损坏失效，特别是对于晶圆级封装(WaferLevelChipSizePacking，WLCSP)芯片更是如此，因为在摩尔定律的推测下，芯片尺寸日益缩小，因此也更为脆弱，在采用上述的开盖式芯片老化测试插座进行老化测试时，在进行开关动作时，其散热器4直接与待测芯片5直接接触，因闭合动作期间使待测芯片5的一端持续受到下压力作用，易使待测芯片5产生物理损伤，在进行老化测试前就使待测芯片5产生失效，严重影响测试结果、可信度。因此，希望提供一种开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座，其能够在开关动作时其散热器不与待测芯片产生直接接触，避免因插座构造造成待测芯片受损，保证测试结果的准确性和可信度。
技术实现思路
为了克服上述现有技术中的缺点，本专利技术的一个目的在于提供一种开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座，其能够在开关动作时其散热器不与待测芯片产生直接接触，避免因插座构造造成待测芯片受损，保证测试结果的准确性和可信度，适于大规模推广应用。本专利技术的另一目的在于提供一种开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座，其设计巧妙，结构简洁，制造简单，使用方便，成本低，适于大规模推广应用。为达到以上目的，本专利技术的开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座，包括底座、芯片固定座、上盖和散热器，所述上盖的一端可转动连接所述底座的一端，所述芯片固定座设置在所述底座上，所述芯片固定座用于在其中放置待测芯片，所述散热器设置在所述上盖的下表面上并朝向所述芯片固定座，所述散热器的下表面与所述的上盖的下表面平行，其特点是，所述开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座还包括至少一个保护支撑部件，所述保护支撑部件设置在所述的上盖的下表面上，所述保护支撑部件的下表面与所述的上盖的下表面平行，所述保护支撑部件的高度H1减去所述散热器的高度H2用于等于所述待测芯片的高度H3，所述保护支撑部件和所述散热器间隔设置且所述保护支撑部件和所述散热器之间的空间用于容纳所述芯片固定座的侧壁，所述的保护支撑部件的下表面的靠近所述的上盖的一端的端部在所述的上盖的下表面上的射影和所述的上盖的一端之间的第一距离L1小于所述的散热器的下表面的靠近所述的上盖的一端的端部在所述的上盖的下表面上的射影和所述的上盖的一端之间的第二距离L2。较佳地，所述保护支撑部件的数目为2个。较佳地，多个所述保护支撑部件分别设置在所述散热器的两侧。较佳地，多个所述保护支撑部件相互平行设置。较佳地，所述保护支撑部件的侧面与所述的上盖的下表面垂直；或者，所述散热器的侧面与所述的上盖的下表面垂直。较佳地，所述的保护支撑部件的下表面为矩形；或者，所述的散热器的下表面为矩形。较佳地，所述第一距离L1等于所述第二距离L2的三分之一。较佳地，所述保护支撑部件的横截面为矩形。较佳地，所述保护支撑部件沿所述的上盖的一端至所述上盖的另一端的方向延伸。本专利技术的有益效果主要在于：1、本专利技术的开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座通过在所述的上盖的下表面上设置至少一个保护支撑部件，保护支撑部件的下表面与上盖的下表面平行，保护支撑部件的高度H1减去散热器的高度H2用于等于待测芯片的高度H3，保护支撑部件和散热器间隔设置且保护支撑部件和散热器之间的空间用于容纳芯片固定座的侧壁，保护支撑部件的下表面的靠近上盖的一端的端部在上盖的下表面上的射影和上盖的一端之间的第一距离L1小于散热器的下表面的靠近上盖的一端的端部在上盖的下表面上的射影和上盖的一端之间的第二距离L2，因此，其能够在开关动作时其散热器不与待测芯片产生直接接触，避免因插座构造造成待测芯片受损，保证测试结果的准确性和可信度，适于大规模推广应用。2、本专利技术的开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座通过在所述的上盖的下表面上设置至少一个保护支撑部件，保护支撑部件的下表面与上盖的下表面平行，保护支撑部件的高度H1减去散热器的高度H2用于等于待测芯片的高度H3，保护支撑部件和散热器间隔设置且保护支撑部件和散热器之间的空间用于容纳芯片固定座的侧壁，保护支撑部件的下表面的靠近上盖的一端的端部在上盖的下表面上的射影和上盖的一端之间的第一距离L1小于散热器的下表面的靠近上盖的一端的端部在上盖的下表面上的射影和上盖的一端之间的第二距离L2，因此，其设计巧妙，结构简洁，制造简单，使用方便，成本低，适于大规模推广应用。本专利技术的这些和其它目的、特点和优势，通过下述的详细说明，附图和权利要求得以充分体现，并可通过所附权利要求中特地指出的手段、装置和它们的组合得以实现。附图说明图1是现有的开盖式芯片老化测试插座装载有待测芯片的主视示意图。图2是图1所示的开盖式芯片老化测试插座的上盖和散热器的组件的立体示意图。图3是本专利技术的开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座的一具体实施例装载有待测芯片的主视示意图。图4是图3所示的具体实施例的保护支撑部件离上盖的一端的距离与散热器离上盖的一端的距离的关系示意图。图5是图3所示的具体实施例的上盖、散热器和保护支撑部件的组件的立体示意图。图6是图3所示的具体实施例的上盖向底座旋转实现闭合过程中的右视示意图之一。图7是图3所示的具体实施例的上盖向底座旋转实现闭合后的右视示意图。(符号说明)1底座；11底座的一端；2芯片固定座；21侧壁；3上盖；31上盖的一端；32上盖的下表面；33上盖的另一端；4散热器；41散热器的下表面；42散热器的侧面；5待测芯片；6保护支撑部件；61保护支撑部件的下表面；62保护支撑部件的侧面；7椭圆可转动机构；8辅助平行下压盘。具体实施方式为了能够更清楚地理解本专利技术的
技术实现思路
，特举以下实施例详细说明。请参见图3至图7所示，在本专利技术的一具体实施例中，本专利技术的开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座包括底座1、芯片固定座2、上盖3、散热器4和至少一个保护支撑部件6，所述上盖3的一端31可转动连接所述底座1的一端11，所述芯片固定座2设置在所述底座1上，所述芯片固定座2用于在其中放置待测芯片5，所述散热器4设置在所述上盖3的下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座，包括底座、芯片固定座、上盖和散热器，所述上盖的一端可转动连接所述底座的一端，所述芯片固定座设置在所述底座上，所述芯片固定座用于在其中放置待测芯片，所述散热器设置在所述上盖的下表面上并朝向所述芯片固定座，所述散热器的下表面与所述的上盖的下表面平行，其特征在于，所述开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座还包括至少一个保护支撑部件，所述保护支撑部件设置在所述的上盖的下表面上，所述保护支撑部件的下表面与所述的上盖的下表面平行，所述保护支撑部件的高度H1减去所述散热器的高度H2用于等于所述待测芯片的高度H3，所述保护支撑部件和所述散热器间隔设置且所述保护支撑部件和所述散热器之间的空间用于容纳所述芯片固定座的侧壁，所述的保护支撑部件的下表面的靠近所述的上盖的一端的端部在所述的上盖的下表面上的射影和所述的上盖的一端之间的第一距离L1小于所述的散热器的下表面的靠近所述的上盖的一端的端部在所述的上盖的下表面上的射影和所述的上盖的一端之间的第二距离L2。

【技术特征摘要】
1.一种开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座，包括底座、芯片固定座、上盖和散热器，所述上盖的一端可转动连接所述底座的一端，所述芯片固定座设置在所述底座上，所述芯片固定座用于在其中放置待测芯片，所述散热器设置在所述上盖的下表面上并朝向所述芯片固定座，所述散热器的下表面与所述的上盖的下表面平行，其特征在于，所述开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座还包括至少一个保护支撑部件，所述保护支撑部件设置在所述的上盖的下表面上，所述保护支撑部件的下表面与所述的上盖的下表面平行，所述保护支撑部件的高度H1减去所述散热器的高度H2用于等于所述待测芯片的高度H3，所述保护支撑部件和所述散热器间隔设置且所述保护支撑部件和所述散热器之间的空间用于容纳所述芯片固定座的侧壁，所述的保护支撑部件的下表面的靠近所述的上盖的一端的端部在所述的上盖的下表面上的射影和所述的上盖的一端之间的第一距离L1小于所述的散热器的下表面的靠近所述的上盖的一端的端部在所述的上盖的下表面上的射影和所述的上盖的一端之间的第二距离L2。2.如权利要求1所述的开盖式晶圆级封装芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄翌圣，葛金发，
申请(专利权)人：宜特上海检测技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31