一种晶圆级针对每个芯片DC参数的调节方法技术

本发明专利技术涉及一种晶圆级针对每个芯片DC参数的调节方法，包括以下步骤：1)通过测试模式对每个芯片的可调节代码进行扫描，并和目标调节值比对，以找到每个芯片的目标调节代码；2)根据目标调节代码分组，将目标调节代码相同的分为一组；3)任意选择其中一组，给对应芯片一次性写入目标调节代码；4)在剩余组中选择任意一组；5)给对应芯片一次性写入目标代码；6)执行步骤4)直至选择到最后一组。本发明专利技术解决了现有的芯片的DC参数调节方式存在测试时间太长的技术问题，本发明专利技术将串连执行每个芯片目标代码写入的过程改为串并结合，进而达到缩短测试时间，节约测试成本的目标。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种晶圆级针对每个芯片DC参数的调节方法。
技术介绍
在晶圆级测试时，每个芯片DC参数的原始值各不相同，要对每个芯片的DC参数进行调节，使它们拥有共同的目标值，现行的方法如图1所示，该方法主要分为两步：第一步，通过测试模式对每个芯片的可调节代码进行扫描，并和目标调节值比对，以找到每个芯片的目标调节代码；第二步，依次将每个芯片的目标调节代码写入到芯片当中，使每个测试芯片达到共同的目标值。现有的方法虽然能够实现对每个芯片的DC参数的调节，但是还存在以下缺点：测试时间过长，因为每个芯片的目标调节代码不一定相同，所以针对每个芯片目标调节代码的写入是一个串行动作，这种缺陷在使用EM(电子迁移)熔丝达到芯片目标值调节的过程当中尤为明显。
技术实现思路
为了解决现有的芯片的DC参数调节方式存在测试时间太长的技术问题，本专利技术提供一种晶圆级针对每个芯片DC参数的调节方法。本专利技术的技术解决方案：一种晶圆级针对每个芯片DC参数的调节方法，其特殊之处在于，包括以下步骤：1)通过测试模式对每个芯片的可调节代码进行扫描，并和目标调节值比对，以找到每个芯片的目标调节代码；2)根据目标调节代码分组，将目标调节代码相同的分为一组；3)任意选择其中一组，给对应芯片一次性写入目标调节代码；4)在剩余组中选择任意一组；5)给对应芯片一次性写入目标代码；6)执行步骤4)直至选择到最后一组。一种晶圆级针对每个芯片DC参数的调节方法，其特殊之处在于，包括以下步骤：1)通过测试模式对每个芯片的可调节代码进行扫描，并和目标调节值比对，以找到每个芯片的目标调节代码；2)根据目标调节代码分组，将目标调节代码相同的分为一组；3)选择目标调节代码最大的一组，给对应芯片一次性写入目标调节代码；4)在剩余组中选择目标调节代码最大的一组；5)给对应芯片一次性写入目标代码；6)执行步骤4)直至选择到最后一组。一种晶圆级针对每个芯片DC参数的调节方法，其特殊之处在于，包括以下步骤：1)通过测试模式对每个芯片的可调节代码进行扫描，并和目标调节值比对，以找到每个芯片的目标调节代码；2)根据目标调节代码分组，将目标调节代码相同的分为一组；3)选择目标调节代码最小的一组，给对应芯片一次性写入目标调节代码；4)在剩余组中选择目标调节代码最小的一组；5)给对应芯片一次性写入目标代码；6)执行步骤4)直至选择到最后一组。本专利技术所具有的优点：本专利技术通过研究晶圆级芯片目标调节代码的分布，将串连执行每个芯片目标代码写入的过程改为串并结合，进而达到缩短测试时间，节约测试成本的目标。附图说明图1传统的晶圆级DC参数目标值调节流程示意图；图2为本专利技术的晶圆级DC参数目标值调节流程示意图。具体实施方式通过研究晶圆级芯片目标调节代码的分布，可以发现一个规律，实测的目标调节代码通常围绕着设计人员提供的理想目标代码成正太分布，也就是可以根据目标调节代码对芯片进行分组，这个结论的得出将使纯粹的串行目标代码写入，变为串并结合，即拥有相同目标调节代码的芯片可以同时写入目标代码。如图2所示。首先，同测芯片目标调节代码的找寻不变，找寻完成后，其次，根据找到的结果对芯片分组，下一步将拥有同样目标调节代码的芯片一次性写入目标代码，最后进行分组循环完成所有芯片目标代码的写入。具体为：实施例1：一种晶圆级针对每个芯片DC参数的调节方法，包括以下步骤：1)通过测试模式对每个芯片的可调节代码进行扫描，并和目标调节值比对，以找到每个芯片的目标调节代码；2)根据目标调节代码分组，将目标调节代码相同的分为一组；3)任意选择其中一组，给对应芯片一次性写入目标调节代码；4)在剩余组中选择任意一组；5)给对应芯片一次性写入目标代码；6)执行步骤4)直至选择到最后一组。实施例2：晶圆级针对每个芯片DC参数的调节方法，包括以下步骤：1)通过测试模式对每个芯片的可调节代码进行扫描，并和目标调节值比对，以找到每个芯片的目标调节代码；2)根据目标调节代码分组，将目标调节代码相同的分为一组；3)选择目标调节代码最大的一组，给对应芯片一次性写入目标调节代码；4)在剩余组中选择目标调节代码最大的一组；5)给对应芯片一次性写入目标代码；6)执行步骤4)直至选择到最后一组。实施例3：晶圆级针对每个芯片DC参数的调节方法，包括以下步骤：1)通过测试模式对每个芯片的可调节代码进行扫描，并和目标调节值比对，以找到每个芯片的目标调节代码；2)根据目标调节代码分组，将目标调节代码相同的分为一组；3)选择目标调节代码最小的一组，给对应芯片一次性写入目标调节代码；4)在剩余组中选择目标调节代码最小的一组；5)给对应芯片一次性写入目标代码；6)执行步骤4)直至选择到最后一组。该方法对于DC分布非常差的晶圆，也同样适用，因为设计人员提供的可调节代码的数量通常远小于芯片的同测数。举例说明：以EM熔丝调节同测芯片DC参数为例，假设同测数为512芯片同测，EM熔丝有5位，每一位的熔断需要30ms，原先的纯串行结构对512芯片操作需要的时间为76800ms(512chip*5bits*30ms)。如果改为串并结合，并假设该晶圆的DC分布完全发散即最坏情况，那么512个芯片最坏情况为32(25)种可能，所需的时间为4800ms(32*30*5)。由此可以看出，测试时间极大缩减。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆级针对每个芯片DC参数的调节方法，其特征在于，包括以下步骤：1)通过测试模式对每个芯片的可调节代码进行扫描，并和目标调节值比对，以找到每个芯片的目标调节代码；2)根据目标调节代码分组，将目标调节代码相同的分为一组；3)任意选择其中一组，给对应芯片一次性写入目标调节代码；4)在剩余组中选择任意一组；5)给对应芯片一次性写入目标代码；6)执行步骤4)直至选择到最后一组。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级针对每个芯片DC参数的调节方法，其特征在于，包括以下步骤：1)通过测试模式对每个芯片的可调节代码进行扫描，并和目标调节值比对，以找到每个芯片的目标调节代码；2)根据目标调节代码分组，将目标调节代码相同的分为一组；3)任意选择其中一组，给对应芯片一次性写入目标调节代码；4)在剩余组中选择任意一组；5)给对应芯片一次性写入目标代码；6)执行步骤4)直至选择到最后一组。2.一种晶圆级针对每个芯片DC参数的调节方法，其特征在于，包括以下步骤：1)通过测试模式对每个芯片的可调节代码进行扫描，并和目标调节值比对，以找到每个芯片的目标调节代码；2)根据目标调节代码分组，将目标调节代码相同...

【专利技术属性】
技术研发人员：王帆，
申请(专利权)人：西安紫光国芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61