晶圆上芯片参数的修调方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆上芯片参数的修调方法，包括以下步骤：第一步，将测试晶圆上的所有芯片分为多个测试单位；第二步，通过探针卡测量某一测试单位内各芯片需要修调的某一参数，得到该测试单位内全部芯片的该参数的本征值；第三步，对该测试单位内全部芯片的参数本征值取平均值，将该参数平均值作为该测试单位内所有芯片的修调目标值，同时写到芯片中供芯片在后续的测试以及正常工作中使用，从而完成测试晶圆上某一测试单位的修调；第四步，重复第二步至第三步，直至完成整枚测试晶圆上全部测试单位的修调。本发明专利技术能够在保证大规模量产的同时提高修调的准确度。

【技术实现步骤摘要】
晶圆上芯片参数的修调方法
本专利技术涉及一种大规模集成电路的测试方法，具体涉及一种晶圆上芯片参数的修调方法。
技术介绍
大规模集成电路在进行测试时，经常出现芯片的某些参数需要修调的现象。每个芯片可能会有多个不同的参数需要进行修调，如包括芯片的基准电压值、芯片的功能电压值、芯片的电流值、芯片频率。因为生产的原因，芯片的这些参数的本征值可能不在该参数的使用范围以内，需要将芯片的参数值修调至其使用范围以内，才能满足使用要求。修调时，有的芯片需要进行负的修调，而有的芯片则需要进行正的修调；根据其本征值的不同，每个芯片的修调值也各不相同。但是，大型逻辑测试仪器在测试芯片时，从生产的角度考虑，往往采用大规模的同时测试，无法分别对每个芯片施以不同的修调值，导致大规模量产时修调的准确度过低。要想提高修调的准确度，只能分别对每个芯片的各参数进行修调，这样又导致测试时间的成倍增长，无法满足大规模量产的需要。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种晶圆上芯片参数的修调方法，它可以缩短测试时间。为解决上述技术问题，本专利技术晶圆上芯片参数的修调方法的技术解决方案为：包括以下步骤：第一步，以探针卡每次能够覆盖的所有芯片为一个测试单位，将测试晶圆上的所有芯片分为多个测试单位；第二步，通过探针卡测量某一测试单位内各芯片需要修调的某一参数，得到该测试单位内全部芯片的该参数的本征值；所述芯片的参数为芯片的基准电压值、芯片的功能电压值、芯片的电流值或芯片频率。第三步，对该测试单位内全部芯片的参数本征值取平均值，将该参数平均值作为该测试单位内所有芯片的修调目标值，同时写到芯片中供芯片在后续的测试以及正常工作中使用，从而完成测试晶圆上某一测试单位的修调；取平均值时，如果测试单位内的芯片数目不少于32个，去掉一个最大值和一个最小值之后，再计算该测试单位的平均值。第四步，重复第二步至第三步，完成测试晶圆上另一测试单位的修调；直至完成整枚测试晶圆上全部测试单位的修调。或者，包括以下步骤：第一步，以探针卡每次能够覆盖的所有芯片为一个测试单位，选择测试晶圆上的多块区域作为测试代表单位；所述测试晶圆上的多块区域代表晶圆面内的分布特征；所述多块区域按晶圆面内的上、下、左、右、中的位置分布，或者多块区域均位于测试晶圆的周边。第二步，通过探针卡分别测量全部测试代表单位内各芯片需要修调的某一参数，得到测试代表单位内全部芯片的该参数的本征值；所述芯片的参数为芯片的基准电压值、芯片的功能电压值、芯片的电流值或芯片频率。第三步，对测试代表单位内全部芯片的参数本征值取平均值，将该参数平均值作为该测试晶圆的修调目标值，同时写到芯片中供芯片在后续的测试以及正常工作中使用，完成整枚测试晶圆的修调。本专利技术可以达到的技术效果是：本专利技术将所有测试单位内部的每个参数修调的目标值统一，在将其写入到芯片中时，可以采用并行写入的方式，而非一个一个串行写入，大大缩短了测试时间。本专利技术能够在保证大规模量产的同时提高修调的准确度。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明：图1是本专利技术晶圆上芯片参数的修调方法的示意图；图2是每个测试单位内包含16个芯片的示意图；图3是本专利技术另一实施例的示意图。图中附图标记说明：1为测试单位，10为测试晶圆，2为测试代表单位。具体实施方式如图1所示，本专利技术晶圆上芯片参数的修调方法，包括以下步骤：第一步，以探针卡每次能够覆盖的所有芯片为一个测试单位，将测试晶圆10上的所有芯片分为多个测试单位(图1中分为14个测试单位1)；如图2所示，如果探针卡一次能够扎到16个芯片，则每个测试单位内最多包含16个芯片，这样探针卡每扎一次可以测量到测试单位内全部芯片的参数本征值；第二步，通过探针卡测量某一测试单位内各芯片需要修调的某一参数，得到该测试单位内全部芯片的该参数的本征值；芯片的参数可以是芯片的基准电压值、芯片的功能电压值、芯片的电流值或芯片频率；第三步，对该测试单位内全部芯片的参数本征值取平均值，将该参数平均值作为该测试单位内所有芯片的修调目标值，同时写到芯片中供芯片在后续的测试以及正常工作中使用，从而完成测试晶圆10上某一测试单位的修调；如果测试单位内的芯片数目足够多，如超过32个芯片，可以去掉一个最大值和一个最小值之后，再计算该测试单位的平均值；第四步，重复第二步至第三步，完成测试晶圆10上另一测试单位的修调；直至完成整枚测试晶圆10上全部测试单位的修调。本专利技术将测试晶圆分为多个测试单位，对每个测试单位内的所有被测芯片采用同一修调值，一个测试单位进行一次修调，以缩短测试时间。作为本专利技术的另一实施例，如图3所示，本专利技术包括以下步骤：第一步，以探针卡每次能够覆盖的所有芯片为一个测试单位，选择测试晶圆10上的多块区域作为测试代表单位(图3中选择5个测试代表单位2)；该测试晶圆10上的多块区域能够代表晶圆面内的分布特征，多块区域可以按晶圆面内的上、下、左、右、中的位置分布；考虑到晶圆在加工时周边特性要比中间特性差的情况，中间测试代表单位的数据也可以仅供参考，而只取周边几个测试代表单位的数据作为目标值的数据源；或者周边测试代表单位的采样数继续增加到适当数目；第二步，通过探针卡分别测量全部(五个)测试代表单位内各芯片需要修调的某一参数，得到测试代表单位内全部芯片的该参数的本征值；芯片的参数可以是芯片的基准电压值、芯片的功能电压值、芯片的电流值或芯片频率；第三步，对测试代表单位内全部芯片的参数本征值取平均值，将该参数平均值作为该测试晶圆10的修调目标值，同时写到芯片中，供芯片在后续的测试以及正常工作中使用，完成整枚测试晶圆10的修调。本专利技术对整枚测试晶圆内的所有被测芯片采用同一修调目标值，能够将修调目标值的分析次数降低到一定程度(如五次)，以缩短测试时间。本专利技术将整枚晶圆的修调测试实现同时进行。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆上芯片参数的修调方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，以探针卡每次能够覆盖的所有芯片为一个测试单位，将测试晶圆上的所有芯片分为多个测试单位；第二步，通过探针卡测量某一测试单位内各芯片需要修调的某一参数，得到该测试单位内全部芯片的该参数的本征值；第三步，对该测试单位内全部芯片的参数本征值取平均值，将该参数平均值作为该测试单位内所有芯片的修调目标值，同时写到芯片中供芯片在后续的测试以及正常工作中使用，从而完成测试晶圆上某一测试单位的修调；第四步，重复第二步至第三步，完成测试晶圆上另一测试单位的修调；直至完成整枚测试晶圆上全部测试单位的修调。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆上芯片参数的修调方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，以探针卡每次能够覆盖的所有芯片为一个测试单位，将测试晶圆上的所有芯片分为多个测试单位；第二步，通过探针卡测量某一测试单位内各芯片需要修调的某一参数，得到该测试单位内全部芯片的该参数的本征值；第三步，对该测试单位内全部芯片的参数本征值取平均值，将该参数平均值作为该测试单位内所有芯片的修调目标值，同时写到芯片中供芯片在后续的测试以及正常工作中使用，从而完成测试晶圆上某一测试单位的修调；第四步，重复第二步至第三步，完成测试晶圆上另一测试单位的修调；直至完成整枚测试晶圆上全部测试单位的修调。2.根据权利要求1所述的晶圆上芯片参数的修调方法，其特征在于，所述芯片的参数为芯片的基准电压值、芯片的功能电压值、芯片的电流值或芯片频率。3.根据权利要求1所述的晶圆上芯片参数的修调方法，其特征在于，所述第三步取平均值时，如果测试单位内的芯片数目不少于32个，去掉一个最...

【专利技术属性】
技术研发人员：辛吉升，桑浚之，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31