Wafer level package LED, involving LED packaging. With LED chip, lens, lens bonding layer, LED chip substrate layer, doped semiconductor layer, semiconductor light-emitting layer, conductive reflective layer, an insulating layer and a dielectric coated electrode, and semiconductor light emitting layer is arranged between the first and second doped semiconductor layer below the conductive reflective layer is arranged on the second doped semiconductor layer between second electrode by conductance the conductive reflective layer and a second doped semiconductor layer, a first electrode and a first doped semiconductor layer is directly connected between the first electrode and the semiconductor light emitting layer, a second doped semiconductor layer, a conductive reflective layer insulated by insulating layer, non coated dielectric substrate region LED located in the side wall of the chip and the substrate layer is arranged inside the through hole, the through hole wall a high reflectivity layer, the lens includes a panel part and coupling part, flat plate fixed to the substrate layer, the optical coupling part is arranged on the surface of the substrate layer The light receiving surface of the optically coupled portion faces the first doped semiconductor layer in the through hole.
【技术实现步骤摘要】
晶圆级封装LED
本专利技术涉及LED封装,尤其是涉及晶圆级封装LED。
技术介绍
LED具有节能、环保、安全、体积小、寿命长、色彩丰富、性能可靠等显著优点,将成为人造光源史上继爱迪生专利技术电灯之后最重要的一次革命。传统的LED封装形式,都需要使用导线架,并且需要打线制程。LED封装技术的发展趋势为:不断小型化、持续减少封装使用的材料。晶圆级封装的定义为,封装外形尺寸与芯片相同,或是封装外形尺寸不大于芯片外形尺寸的120%,且功能完整的封装元件。LED封装从过去包含芯片、支架、金线、硅胶、荧光粉开始发展为倒装芯片,省去金线;进一步发展至晶圆级封装,则会将支架、金线全部省去。晶圆级封装不仅可以使LED的热阻最小化,而且能够实现封装的小型化,大幅降低器件的物料成本,被认为是LED封装的必然发展趋势。现有的晶圆级封装LED技术方案为,将LED芯片排列成固定间距的阵列,再将封装胶膜覆盖于芯片阵列上,然后把封装胶膜从芯片阵列的间隙中间切开,得到单颗的晶圆级封装LED。其缺点在于,芯片位置排列的误差和封装胶膜的切割误差相累加,造成芯片对称中心与封装体外形对称中心难以重合,导致焊接容易短路、配光分布不对称等困扰。另外,现有的晶圆级封装LED技术方案实现的出光配光分布均为朗伯体,无法满足车灯、小间距显示屏等有指向性照射要求的应用场景需求。中国专利CN104037305A公开一种低热阻的晶圆级LED封装方法及其封装结构,其在硅基本体(1)的正面通过金属凸块(42)设置倒装的LED芯片(4),背面设置由导电电极(21)和散热体(22)构成的热电分离电极组件,散热体(22)设 ...
【技术保护点】
晶圆级封装LED,其特征在于设有LED芯片、透镜、透镜粘结层,所述LED芯片设有衬底层、第一掺杂半导体层、半导体发光层、第二掺杂半导体层、导电反光层、第一电极、第二电极、绝缘层和包覆介质,所述半导体发光层设置于第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层之间,导电反光层设置于第二掺杂半导体层下方,第二电极通过导电反光层实现与第二掺杂半导体层之间的电导通,第一电极与第一掺杂半导体层直接连接实现电导通,第一电极与半导体发光层、第二掺杂半导体层、导电反光层之间由绝缘层进行绝缘,所述包覆介质设置于LED芯片侧壁的非衬底区域,衬底层内部设置有过孔,所述过孔的内壁设置有高反射率层,所述透镜包括透镜平板部和透镜光耦合部,所述透镜平板部通过透镜粘结层粘结固定至衬底层上表面,所述透镜光耦合部设置于衬底层内部的杯状过孔内,且透镜光耦合部的光接收面朝向第一掺杂半导体层。
【技术特征摘要】
1.晶圆级封装LED,其特征在于设有LED芯片、透镜、透镜粘结层,所述LED芯片设有衬底层、第一掺杂半导体层、半导体发光层、第二掺杂半导体层、导电反光层、第一电极、第二电极、绝缘层和包覆介质,所述半导体发光层设置于第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层之间,导电反光层设置于第二掺杂半导体层下方,第二电极通过导电反光层实现与第二掺杂半导体层之间的电导通,第一电极与第一掺杂半导体层直接连接实现电导通,第一电极与半导体发光层、第二掺杂半导体层、导电反光层之间由绝缘层进行绝缘,所述包覆介质设置于LED芯片侧壁的非衬底区域,衬底层内部设置有过孔,所述过孔的内壁设置有高反射率层,所述透镜包括透镜平板部和透镜光耦合部,所述透镜平板部通过透镜粘结层粘结固定至衬底层上表面,所述透镜光耦合部设置于衬底层内部的杯状过孔内,且透镜光耦合部的光接收面朝向第一掺杂半导体层。2.如权利要求1所述晶圆级封装LED,其特征在于所述过孔采用杯状过孔,所述第一掺杂半导体层设于杯状过孔底部。3.如权利要求1所述晶圆级封装LED,其特征在于所述透镜粘结层将透镜平板部的底面与衬底层上表面粘合密封,在所述杯状过孔内形成密闭腔体。4.如权利要求1所述晶圆级封装LED,其特征在于所述的密闭腔体为真空,或密闭腔体内充有...
【专利技术属性】
技术研发人员:林岳,郭伟杰,陈忠,吕毅军,
申请(专利权)人:厦门大学,
类型:发明
国别省市:福建,35
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