一种芯片背面裸露的重构晶圆结构及制造方法技术

本发明专利技术公开了一种芯片背面裸露的重构晶圆结构及制造方法，所述结构包括第一芯片、第二芯片和再布线层，第一芯片和第二芯片设置在再布线层上，其中第一芯片和第二芯片距离再布线层具有第一距离；还包括第一限高块和第二限高块，第一限高块和第二限高块设置在再布线层上，其中第一限高块和第二限高块距离再布线层具有第二距离；其中，第一限高块和第二限高块之间分别布置第一芯片和第二芯片；再布线层、第一限高块、第二限高块、第一芯片、第二芯片构成了第一空间，且第一空间内填充树脂；其中，第二距离等于第一距离。本发明专利技术通过使用限高块而不必使用高精度塑封模具，具有大幅度降低封装制造和加工成本的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片背面裸露的重构晶圆结构及制造方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种芯片背面裸露的重构晶圆结构及制造方法。
技术介绍
随着大规模集成电路的发展，线路越来越细，22nm技术已经进入量产，线路的细化，导致对于设备和工艺提出了前所未有的挑战。为提高单位面积上的芯片密度和信号处理能力。随着线路线宽尺寸不断减小，信号处理能力的增强，芯片尺寸不断减小，芯片输入输出的管脚数量越来越多，即芯片I/O数量增加，单个芯片的大量I/O数量导致，单个芯片电极尺寸也不断减小。而基板的电极尺寸受到加工的限制无法做到同样的尺寸，芯片表面的金属电极的大小和间距都很小，因此无法进行后续封装所必须的植球等工作，因此，在芯片和基板进行键合前，将晶圆进行重构，将芯片埋入一个重构的晶圆中，增大芯片见得距离，在重构晶圆的更大表面上，通过再布线将芯片表面的小电极进行扇出形成能能够符合基板制造要求的电极排布结构，再在重构晶圆上进行凸点加工和切割形成，能够进行封装加工的扇出结构单元，这就是所谓的fan-out技术，即芯片扇出技术。常规的芯片扇出技术采用晶圆级封装方法制造，首先将切割好的芯片在一个涂覆一层临时键合胶的表面进行贴装，再塑封，将芯片塑封在树脂中，形成晶圆形状的一面嵌入芯片的树脂结构，将承载板和树脂结构分离，在有芯片一侧进行再布线，形成具有电极扇出结构的重构晶圆。此时的树脂结构与常规硅晶圆结构相似，外形尺寸相同，只是芯片面的芯片电极通过再布线层线路将芯片表面的高密度金属电极分散到一个更大的平面上，形成一些能够和PCB电极尺寸相当的电极排布，形成重构晶圆结构，经过凸点加工和切割就形成形成芯片扇出结构，以便形成后续的扇出单元与PCB或基板的封装键合。但是，本领域的技术人员通过研究发现现有技术中存在如下不足：这种封装结构和制造方法制造成本比较高，芯片贴装后，树脂填充需要制造高精度的塑封模具，由于塑封模具制作成本高昂，导致这个制作成本高昂。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种芯片背面裸露的重构晶圆结构及制造方法，用于解决现有技术中需要使用高精度、高成本的塑封模具导致成本高的技术问题，具有无须使用高精度模具、成本低的技术效果。本申请通过本申请的一实施例提供如下技术方案：一种芯片背面裸露的重构晶圆结构，所述结构包括：第一芯片；第二芯片；再布线层，所述第一芯片和第二芯片设置在所述再布线层上，其中所述第一芯片和所述第二芯片距离所述再布线层具有第一距离；第一限高块和第二限高块，所述第一限高块和所述第二限高块设置在所述再布线层上，其中所述第一限高块和第二限高块距离所述再布线层具有第二距离；其中，所述第一限高块和第二限高块之间分别布置所述第一芯片和第二芯片；所述再布线层、所述第一限高块、所述第二限高块、所述第一芯片、所述第二芯片构成了第一空间，且所述第一空间内填充树脂；其中，所述第二距离等于所述第一距离。进一步的，所述再布线层具体为一层结构或者多层结构，进一步的，所述再布线层包括绝缘层和线路层。进一步的，所述芯片还包括：金属散热件，所述金属散热件设置于所述第一芯片和第二芯片的表面。本申请通过本申请的一实施例还提供另一技术方案：一种芯片背面裸露的重构晶圆结构的制造方法，所述方法包括：将第一芯片、第二芯片、第一限高块、第二限高块贴在承载板的临时键合胶表面；将塑封板覆盖在第一芯片、第二芯片、第一限高块和第二限高块上；将树脂填充到第一空间内，并固化形成整体结构；去掉所述塑封板；去掉承载板和临时键合胶；制作再布线层。进一步的，所述方法还包括：植入凸点。进一步的，所述方法还包括：采用流动性好的液体树脂在低温填充的方式填充树脂，然后固化。进一步的，在所述将塑封板覆盖在第一芯片、第二芯片、第一限高块和第二限高块上之后，还包括：采用高温下流动性好的树脂进行树脂的填充灌封，然后固化。进一步的，所述将第一芯片、第二芯片、第一限高块、第二限高块贴在承载板的临时键合胶表面，还包括：将所述第一芯片、所述第二芯片布置于所述第一限高块、所述第二限高块之间。本专利技术实施例的有益效果如下：本专利技术一实施例提供的一种芯片背面裸露的重构晶圆结构及制造方法，所述晶圆结构包括第一芯片；第二芯片；再布线层，所述第一芯片和第二芯片设置在所述再布线层上，其中所述第一芯片和所述第二芯片距离所述再布线层具有第一距离；第一限高块和第二限高块，所述第一限高块和所述第二限高块设置在所述再布线层上，其中所述第一限高块和第二限高块距离所述再布线层具有第二距离；其中，所述第一限高块和第二限高块之间分别布置所述第一芯片和第二芯片；所述再布线层、所述第一限高块、所述第二限高块、所述第一芯片、所述第二芯片构成了第一空间，且所述第一空间内填充树脂；其中，所述第二距离等于所述第一距离。本专利技术通过使用限高块而不必使用高精度塑封模具，具有大幅度降低封装制造和加工成本的技术效果。进一步的，本专利技术通过将限高块和芯片设置成厚度一致，保证最终的扇出结构中的芯片背面裸露，具有易于散热的技术效果。进一步的，本专利技术通过封装高度与芯片厚度一致，无须芯片减薄，具有节省工艺，节省成本的技术效果。进一步的，本专利技术通过在芯片背面键合金属散热件，具有易于散热的技术效果。进一步的，本专利技术可以通过使用不同高度的限高块而达到制造不同高度的封装结构，而不必采用不同封装高度而制作不同高精度模具的方案，进而具有成本低的技术效果。附图说明图1为本专利技术一实施例中提供的一种芯片背面裸露的重构晶圆结构示意图；图2为本专利技术一实施例中提供的一种芯片背面裸露的重构晶圆结构的制作方法流程示意图；图3-10为本专利技术一实施例中提供的一种芯片背面裸露的重构晶圆结构的制作方法的示意图；图11为本专利技术一实施例中提供的一种芯片背面裸露的扇出封装结构的示意图。具体实施方式本专利技术一实施例提供的一种芯片背面裸露的重构晶圆结构及制造方法，所述晶圆结构包括第一芯片；第二芯片；再布线层，所述第一芯片和第二芯片设置在所述再布线层上，其中所述第一芯片和所述第二芯片距离所述再布线层具有第一距离；第一限高块和第二限高块，所述第一限高块和所述第二限高块设置在所述再布线层上，其中所述第一限高块和第二限高块距离所述再布线层具有第二距离；其中，所述第一限高块和第二限高块之间分别布置所述第一芯片和第二芯片；所述再布线层、所述第一限高块、所述第二限高块、所述第一芯片、所述第二芯片构成了第一空间，且所述第一空间内填充树脂；其中，所述第二距离等于所述第一距离。本专利技术通过使用限高块而不必使用高精度塑封模具，具有大幅度降低封装制造和加工成本的技术效果。为使本申请一实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。【实施例一】为使本领域技术人员能够更详细了解本专利技术，以下结合附图对本专利技术进行详细描述。如图1所述，图1为本专利技术一实施例中一种芯片背面裸露的重构晶圆结构，其中，所述结构包括：第一芯片11；第二芯片12；再布线层2，所述第一芯片11和第二芯片12设置在所述再布线层2上，其中所述第一芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片背面裸露的重构晶圆结构，其特征在于，所述结构包括：第一芯片；第二芯片；再布线层，所述第一芯片和第二芯片设置在所述再布线层上，其中所述第一芯片和所述第二芯片距离所述再布线层具有第一距离；第一限高块和第二限高块，所述第一限高块和所述第二限高块设置在所述再布线层上，其中所述第一限高块和第二限高块距离所述再布线层具有第二距离；其中，所述第一限高块和第二限高块之间分别布置所述第一芯片和第二芯片；所述再布线层、所述第一限高块、所述第二限高块、所述第一芯片、所述第二芯片构成了第一空间，且所述第一空间内填充树脂；其中，所述第二距离等于所述第一距离。

【技术特征摘要】
1.一种芯片背面裸露的重构晶圆结构，其特征在于，所述结构包括：第一芯片；第二芯片；再布线层，所述第一芯片和第二芯片设置在所述再布线层上，其中所述第一芯片和所述第二芯片距离所述再布线层具有第一距离；第一限高块和第二限高块，所述第一限高块和所述第二限高块设置在所述再布线层上，其中所述第一限高块和第二限高块距离所述再布线层具有第二距离；其中，所述第一限高块和第二限高块之间分别布置所述第一芯片和第二芯片；所述再布线层、所述第一限高块、所述第二限高块、所述第一芯片、所述第二芯片构成了第一空间，且所述第一空间内填充树脂；其中，所述第二距离等于所述第一距离；所述再布线层具体为一层结构或者多层结构。2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述再布线层包括绝缘层和线路层。3.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述芯片还包括：金属散热件，所述金属散热件设置于...

【专利技术属性】
技术研发人员：于中尧，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11