一种制备PZT薄膜的方法及PZT薄膜技术

本发明专利技术提供了一种制备PZT薄膜的方法及PZT薄膜，包括：提供衬底；在衬底上方形成底电极；利用磁控溅射法依次溅射钙钛矿构型结构的靶材，在底电极上方沉积多层导电氧化物缓冲层；在导电氧化物缓冲层上方沉积PZT压电层，对PZT压电层进行快速退火；PZT薄膜材料为Pb<subgt;1.2</subgt;Zr<subgt;0.52</subgt;Ti<subgt;0.48</subgt;O<subgt;3</subgt;；在PZT压电层上方形成顶电极；如此，钙钛矿型结构的缓冲层材料具有强烈的(100)晶向取向，促进PZT薄膜沿(100)晶向择优生长，提高PZT薄膜的压电性能；另外，多层导电氧化物缓冲层可作为阻挡层，有效阻止源自底电极的电荷注入，阻碍PZT薄膜与电极之间的相互扩散，改善薄膜的压电性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其涉及一种制备pzt薄膜的方法及pzt薄膜。

技术介绍

1、压电材料是指受到压力作用在其两端面会出现电荷的一大类单晶或多晶的固体材料，它是进行能量转换和信号传递的重要载体。pzt薄膜是目前应用最为广泛的压电材料之一，被大量应用在了扬声器、超声成像探头等电子器件中。

2、在pzt薄膜制备技术中，溶胶-凝胶(sol-gel)法、磁控溅射法和脉冲激光沉积法(pld)是最常用的方法。制备出的pzt薄膜只能适用于对压电系数要求一般的电子器件中，对于需要大压电系数、强发射能力的压电超声换能器(比如水下超声探测器或蜂鸣器)来说，是远远不够的。

3、基于此，如何有效提升pzt薄膜的压电系数，是目前亟需解决的技术问题。

技术实现思路

1、针对现有技术存在的问题，本专利技术实施例提供了一种制备pzt薄膜的方法及pzt薄膜，以解决或者部分解决现有技术中制备的pzt薄膜的压电系数不够，导致pzt薄膜应用效果得不到确保的技术问题。

2、本专利技术实施例提供一种制备pzt薄膜的方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制备PZT薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供衬底，包括：

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上方形成底电极，包括：

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，利用磁控溅射法依次溅射钙钛矿构型结构的靶材，在所述底电极上方沉积多层导电氧化物缓冲层，包括：

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在顶层导电氧化物缓冲层上方沉积PZT压电层，包括：

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述PZT压电层进行快速退火，包括：p>

7.如权利...

【技术特征摘要】

1.一种制备pzt薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供衬底，包括：

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上方形成底电极，包括：

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，利用磁控溅射法依次溅射钙钛矿构型结构的靶材，在所述底电极上方沉积多层导电氧化物缓冲层，包括：

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在顶层导电氧化物缓冲层上方沉积p...

【专利技术属性】
技术研发人员：张红坤，饶晗，解婧，李超波，邢建鹏，宋宏岩，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：