MOCVD设备制造技术

本发明专利技术提供了一种MOCVD设备，所述MOCVD设备包括：反应腔壳，用于提供供反应气体发生化学反应的环境；进气口和排气口，分别用于向反应腔壳内供应反应气体和从反应腔壳内排出气体；以及内筒(41)，设置在反应腔壳内，并且内筒(41)与反应腔壳之间形成反应气体通道(51)，其中，所述反应气体通道(51)沿反应气体的行进方向具有大致相同的横截面。本发明专利技术的MOCVD设备具有改善的温度均匀性、气体流动均匀性和/或气体浓度均匀性，能够提高半导体器件的沉积质量，能够增大产能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其是半导体外延薄膜气相沉积技术，具体地，涉及一种新型的mocvd(金属有机化学气相沉积)设备。

技术介绍

1、目前，mocvd(金属有机化学气相沉积)是半导体化合物材料制备的关键技术之一，一般以iii族、ii族元素的有机化合物和v、vi族元素的氢化物等作为外延薄膜生长的源材料，通过化学反应的方式在衬底上进行气相沉积，生长各种iii-v族、ii-vi族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。mocvd被广泛应用于包括半导体器件、光学器件、气敏元件、超导薄膜材料、铁电/铁磁薄膜、高介电材料等多种薄膜材料的制备，mocvd设备是半导体行业上游必须用到的重要设备。

2、目前市场上常用的mocvd反应室主要包括行星式反应室、立式近耦合喷淋反应室、以及立式高速旋转盘式反应室等。这些类型的mocvd反应室的特点是待沉积的衬底都是水平地放置在水平盘上，反应气体进入反应室在水平放置的衬底上沉积获得产物。以德国aixtron行星式反应室为例，反应室内设置有能够旋转的石墨基座，石墨基座呈圆盘状，若干个衬底构成一组，多个衬底组圆周地均匀本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MOCVD设备，其特征在于，所述MOCVD设备包括：

2.根据权利要求1所述的MOCVD设备，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的MOCVD设备，其特征在于：

4.根据权利要求2所述的MOCVD设备，其特征在于：

5.根据权利要求2所述的MOCVD设备，其特征在于：

6.根据权利要求5所述的MOCVD设备，其特征在于：

7.根据权利要求2所述的MOCVD设备，其特征在于：

8.根据权利要求2所述的MOCVD设备，其特征在于：

9.根据权利要求2所述的MOCVD设备，其特征在于：...

【技术特征摘要】

1.一种mocvd设备，其特征在于，所述mocvd设备包括：

2.根据权利要求1所述的mocvd设备，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的mocvd设备，其特征在于：

4.根据权利要求2所述的mocvd设备，其特征在于：

5.根据权利要求2所述的mocvd设备，其特征在于：

【专利技术属性】
技术研发人员：徐国强，张丽娜，闻洁，
申请(专利权)人：杭州龙圣外延科技有限公司，
类型：发明
国别省市：