周向贴片的MOCVD设备制造技术

本发明专利技术提供了一种周向贴片的MOCVD设备，包括：反应腔壳，用于提供供反应气体发生化学反应的环境；进气口和排气口，分别用于向反应腔壳内供应反应气体和从反应腔壳内排出气体；以及内筒(41)，设置在反应腔壳内，并且内筒(41)与反应腔壳之间形成反应气体通道(51)，其中，所述MOCVD设备被配置为使得内筒(41)和反应腔壳之间能够相对旋转；其中，所述内筒(41)的外周上设置有用于安装衬底(72)的安装位；和/或所述反应腔壳的内侧设置有用于安装衬底(72)的安装位。本发明专利技术的周向贴片的MOCVD设备具有更大的贴片数量，改善的温度、气体流动和气体浓度均匀性，能够提高半导体器件的沉积质量，能够增大产能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其是半导体外延薄膜气相沉积技术，具体地，涉及一种新型的周向贴片的mocvd(金属有机化学气相沉积)设备。

技术介绍

1、mocvd(金属有机化学气相沉积)的原理是几种反应气体在反应室中结合，并在高温下发生化学反应，将材料沉积在半导体晶圆上。在mocvd设备中，将超纯气体注入反应器中并精细计量、以非常薄的原子层沉积到半导体晶片上。含有所需化学元素的有机化合物或金属有机物和氢化物的表面反应为晶体生长创造条件，形成材料和化合物半导体的外延。不同于传统的硅半导体，这些半导体可以包含的组合包括iii族和v族，ii族和vi族，iv族或第iv族，v和vi族的元素。

2、mocvd是生产半导体外延片的关键设备，外延片的性能和产能是半导体芯片性能和产能的关键决定因素之一。采用mocvd技术制备外延薄膜的优势在于，可以精确控制反应物的组分和流量，可以精确控制薄膜的厚度，可以比较容易制备较大面积的均匀性薄膜，适用于工业化生产。

3、目前市场上常用的mocvd反应室主要包括行星式反应室、立式近耦合喷淋反应室、以及立式高速旋转盘式反应本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种周向贴片的MOCVD设备，其特征在于，所述MOCVD设备包括：

2.根据权利要求1所述的周向贴片的MOCVD设备，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的周向贴片的MOCVD设备，其特征在于：

4.根据权利要求3所述的周向贴片的MOCVD设备，其特征在于：

5.根据权利要求1所述的周向贴片的MOCVD设备，其特征在于：

6.根据权利要求1所述的周向贴片的MOCVD设备，其特征在于：

7.根据权利要求1所述的周向贴片的MOCVD设备，其特征在于，所述反应腔壳的腔壁包括：

8.根据权利要求7所述的周向贴...

【技术特征摘要】

1.一种周向贴片的mocvd设备，其特征在于，所述mocvd设备包括：

2.根据权利要求1所述的周向贴片的mocvd设备，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的周向贴片的mocvd设备，其特征在于：

4.根据权利要求3所述的周向贴片的mocvd设备，其特征在于：

5.根据权利要求1所述的周向贴片的mocvd设备，其特征在于：

6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐国强，张丽娜，闻洁，
申请(专利权)人：杭州龙圣外延科技有限公司，
类型：发明
国别省市：