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本发明提供了一种制备PZT薄膜的方法及PZT薄膜，包括：提供衬底；在衬底上方形成底电极；利用磁控溅射法依次溅射钙钛矿构型结构的靶材，在底电极上方沉积多层导电氧化物缓冲层；在导电氧化物缓冲层上方沉积PZT压电层，对PZT压电层进行快速退火；P...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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