一种能切割成LED芯片的晶圆制造技术

本实用新型专利技术提供一种能切割成LED芯片的晶圆，所述晶圆为背镀有黄金且能从背面隐形切割成LED芯片的晶圆，所述晶圆包括LED芯片发光区1、切割道2、蓝宝石衬底3和背镀黄金部件41，且所述背镀黄金部件41的形状与晶圆正面的LED芯片发光区1的形状相同。对本实用新型专利技术中得到的晶圆进行背面隐形切割后能得到具有高亮度和高良率的LED芯片。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种能切割成LED芯片的晶圆。
技术介绍
目前，国内LED市场逐渐趋向成熟：主要表现在LED产品的价格越来越低，性能越来越好。LED芯片亮度直接决定着价格，但是提高芯片亮度难度大，技术含量高，因此各大LED芯片厂都投入大量经费研发新技术，来寻求在竞争中占据主动。在此大环境下，为了提高LED芯片亮度，行业内普遍采用背镀黄金的办法来提高亮度和散热效果，也有采用隐形切割的方法来提高芯片亮度。其中，对中小尺寸的LED芯片来说，使用隐形切割能减少芯片侧面的激光灼烧面积，从而可以使其提高5％至8％的亮度；而背镀黄金可以使其提高5％左右的亮度。隐形切割与既能划开蓝宝石衬底也能划开各种膜层的纳秒激光表面切割有着明显区别，隐形切割机发出的皮秒激光无法穿过背镀有黄金的芯片，从而无法实现对背镀有黄金层的LED芯片晶圆的背面进行隐形切割。本领域有公开先隐形切割再背镀的制造LED芯片的方法，如专利申请CN201110268144中提供了一种GaN基发光二极管芯片及其制造方r>法。但该办法破片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种能切割成LED芯片的晶圆，其特征在于，所述晶圆为背镀有黄金且能从背面隐形切割成LED芯片的晶圆，所述晶圆包括LED芯片发光区(1)、切割道(2)、蓝宝石衬底(3)和背镀黄金部件(41)，且所述背镀黄金部件(41)与晶圆正面的LED芯片发光区(1)的形状相同且位置对应。

【技术特征摘要】
1.一种能切割成LED芯片的晶圆，其特征在于，所述晶圆为背镀有黄金且能从背面
隐形切割成LED芯片的晶圆，所述晶圆包括LED芯片发光区(1)、切割道(2)、蓝宝石
衬底(3)和背镀黄金部件(41)，且所述背镀黄金部件(41)与晶圆正面的LED芯片发光
区(1)的形状相同且位置对应。
2.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述LED...

【专利技术属性】
技术研发人员：张瑞，雷琪，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：湖南;43