一种容量为4G×16bit的立体封装NAND FLASH存储器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种容量为4G×16bit的立体封装NAND FLASH存储器，其特征在于，包括八个1G×8bit的NAND FLASH芯片，从下至上进行堆叠的一个引线框架层和八个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，八个NAND FLASH芯片分别一一对应地设于八个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和八个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和八个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型专利技术能相对降低占用印刷电路板的平面空间。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
—种容量为4GX 16b i t的立体封装NAND FLASH存储器【
】本技术涉及存储设备，尤其涉及一种容量为4GX16bit的立体封装NANDFLASH存储器。【
技术介绍
】目前，很多印刷电路板(PCB)上都需要装有NAND FLASH存储芯片，由于每一 NANDFLASH存储芯片的容量有限，如果在某一应用是要使用很大的NAND FLASH存储空间，那么就要扩充印刷电路板的面积，然后在上面贴置多个NAND FLASH存储芯片。由于在一些特定场所，对某些使用印刷电路板的设备所占用的平面空间有一定的限制，可能就需要降低印刷电路板的平面面积；这样的话，相对较难地扩充NAND FLASH印刷电路板(PCB)上的存储空间。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种容量为4GX16bit的立体封装NANDFLASH存储器，其能相对降低占用印刷电路板的平面空间。上述技术问题通过以下技术方案实现:一种容量为4GX 16bit的立体封装NAND FLASH存储器，其特征在于，包括八个lGX8bit的NAND FLASH芯片，从下至上进行堆叠的一个引线框架层和八个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，八个NAND FLASH芯片分别一一对应地设于八个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和八个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和八个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。八个NAND FLASH芯片的#RE读信号线、#WE写信号线、#CE片选信号线分别并置；八个NAND FLASH芯片的#WP写保护信号线、ALE地址锁存信号线、CLE命令使能信号线分别对应复合；其中四个NAND FLASH芯片的数据线复合作为高八位数据线，另外四个NANDFLASH芯片的数据线复合作为低八位数据线。所述NAND FLASH芯片均采用存储容量为1Gb、数据总线宽度为8位、48个引脚的封装NAND FLASH芯片。由八个lGX8bit的NAND FLASH芯片之间连接成容量为4GX 16bit的NAND FLASH存储器的技术可以采用本
人员通常掌握的技术，本技术的首要创造点是利用八个芯片层来置放NAND FLASH芯片，然后通过堆叠、灌封、切割后在外表面设置镀金连接线以将置芯片的八个芯片层和一个引线框架层的引脚接线连接成一个NAND FLASH存储器。可见，本技术通立体封装方式避免在一个芯片层上进行并置所有NAND FLASH芯片，减少了占用印刷电路板的平面空间，从而减少了印刷电路板的平面空间，尤其适合应用于航空、航天领域。本技术进一步具体了本申请自身设计的八个lGX8bit的NAND FLASH芯片之间的连接关系。【【附图说明】】图1为实施例一的本技术的截面图；图2为实施例一的本技术的八个NAND FLASH芯片连接示意图。【【具体实施方式】】实施例一如图1和图2所示，本实施例提供的一种容量为4GX16bit的立体封装NANDFLASH存储器，包括从下至上进行堆叠的一个引线框架层和八个芯片层:一设有用于对外连接的引脚11的引线框架层1，一贴装有NAND FLASH芯片21的第一芯片层2，一贴装有NAND FLASH芯片31的第二芯片层3，一贴装有NAND FLASH芯片41的第三芯片层4，一贴装有NAND FLASH芯片51的第四芯片层5，一贴装有NAND FLASH芯片，61的第五芯片层6，一贴装有NAND FLASH芯片71的第六芯片层7，一贴装有NAND FLASH芯片81的第七芯片层8，一贴装有 NAND FLASH 芯片 91 的第八芯片层 9 ；NAND FLASH 芯片 21、31、41、51、61、71、81、91均采用存储容量为1Gb、数据总线宽度为8位的TS0P-48(48个引脚)的封装NAND FLASH芯片；堆叠的一个引线框架层和八个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀 金连接线；镀金连接线将引线框架层和芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接以形成一个存储容量达64Gb、数据总线宽度达16位、引脚封装为TS0P-58 (58个引脚)封装的立体封装NAND FLASH存储器:八个NAND FLASH芯片成并联连接，引线框架层I的引脚11作为立体封装NAND FLASH存储器的对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。其中，八个NAND FLASH芯片的#RE读信号线、#WE写信号线、#CE片选信号线分别并置；八个NAND FLASH芯片的#WP写保护信号线、ALE地址锁存信号线、CLE命令使能信号线分别对应复合；NAND FLASH芯片21、31、41、51的数据线复合作为高八位数据线，NANDFLASH芯片61、71、81、91的数据线复合作为低八位数据线。引线框架层和八个芯片层可以采用印刷电路板。上述立体封装NAND FLASH存储器的制备过程如下:(I)将引脚11焊接在引线框架层I上；将NAND FLASH芯片21、31、41、51、61、71、81,91分别对应地设置在芯片层2、3、4、5、6、7、8、9上；(2)将引线框架层1、第一芯片层2、第二芯片层3、第三芯片层4、第四芯片层5、第五芯片层6、第六芯片层7、第七芯片层8、第八芯片层9从下至上进行堆叠；(3)使用环氧树脂对一个引线框架层和八个芯片层进行灌封，对灌封后的一个引线框架层和八个芯片层进行切割，以让一个引线框架层和八个芯片层在各自的周边上露出电气连接引脚；(4)对一个引线框架层和八个芯片层进行表面镀金以形成镀金层，此时，镀金层与八个芯片层在各自的周边上露出的电气连接引脚连接，露出的电气连接引脚之间都相互连接且同时也连接引脚；(5)为了把该分离的信号结点分割开，对镀金层进行表面连线雕刻以形成镀金连接线，镀金连接线将引线框架层和芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接以形成一个存储容量达64Gb、数据总线宽度达16位、引脚封装为TS0P-58(58个引脚)封装的立体封装NAND FLASH存储器，引线框架层I的引脚11作为立体封装NAND FLASH存储器的对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本立体封装NAND FLASH存储器的各引脚的具体用途如表1。表1引脚的具体用途本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种容量为4G×16bit的立体封装NAND FLASH存储器，其特征在于，包括八个1G×8bit的NAND FLASH芯片，从下至上进行堆叠的一个引线框架层和八个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，八个NAND FLASH芯片分别一一对应地设于八个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和八个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和八个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。

【技术特征摘要】
1.一种容量为4GX16bit的立体封装NAND FLASH存储器，其特征在于，包括八个lGX8bit的NAND FLASH芯片，从下至上进行堆叠的一个引线框架层和八个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，八个NAND FLASH芯片分别一一对应地设于八个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和八个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和八个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。2.根据权利要求1所述的一种容量为4GX16bit的立体封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：王烈洋，叶振荣，黄小虎，蒋晓华，颜军，
申请(专利权)人：珠海欧比特控制工程股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44