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本实用新型涉及一种容量为4G×16bit的立体封装NAND FLASH存储器，其特征在于，包括八个1G×8bit的NAND FLASH芯片，从下至上进行堆叠的一个引线框架层和八个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，八个NAND FL...
该专利属于珠海欧比特控制工程股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海欧比特控制工程股份有限公司授权不得商用。

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