一种存储结构及存储器制造技术

本发明专利技术公开了一种存储结构及存储器，其中存储结构包括：第一存储芯片和第二存储芯片；第一存储芯片堆叠设置在第二存储芯片一侧，第一存储芯片和第二存储芯片之间三维连接；第一存储芯片设置有用于连接至预设的电路板的多个引脚，第一存储芯片的信号传输线与引脚连接，第二存储芯片的信号传输线穿过第一存储芯片与引脚连接；存储结构被配置为在接收到预设的第一片选信号后，通过第一存储芯片的信号传输线对第一存储芯片进行读或写；还被配置为在接收到预设的第二片选信号后，通过第二存储芯片的信号传输线对第二存储芯片进行读或写。本发明专利技术在实现存储容量扩展的过程中避免了增加PCB板的布线资源，降低了封装成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储，尤其涉及一种存储结构及存储器。

技术介绍

1、目前，现有技术在采用两片以上的存储芯片进行容量扩展时，一般是将该两片以上的存储芯片排列在pcb板(printed circuit board，印制电路板)上，然后在pcb板上进行布线，以将该两片以上的存储芯片的命令线连接在一起以及将该两片以上的存储芯片的地址线连接在一起。从而实现存储容量的扩展。

2、现有技术虽然能够实现存储容量扩展，但是该种方式会浪费pcb板上的布线资源，封装成本高。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，提出了本专利技术以便提供一种存储结构及存储器，在实现存储容量扩展的过程中避免了增加pcb板的布线资源，降低了封装成本。

2、第一方面，提供了一种存储结构，包括：第一存储芯片和第二存储芯片；所述第一存储芯片堆叠设置在所述第二存储芯片一侧，所述第一存储芯片和所述第二存储芯片之间三维连接；所述第一存储芯片设置有用于连接至预设的电路板的多个引脚，所述第一存储芯片的信号传输线与所述引脚连接，所述第二存储芯片的信号传输本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储结构，其特征在于，包括：第一存储芯片和第二存储芯片；所述第一存储芯片堆叠设置在所述第二存储芯片一侧，所述第一存储芯片和所述第二存储芯片之间三维连接；所述第一存储芯片设置有用于连接至预设的电路板的多个引脚，所述第一存储芯片的信号传输线与所述引脚连接，所述第二存储芯片的信号传输线穿过所述第一存储芯片与所述引脚连接；

2.根据权利要求1所述的存储结构，其特征在于，所述第一存储芯片的信号传输线包括第一地址命令线和第一数据线；

3.根据权利要求2所述的存储结构，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的存储结构，其特征在于，

<p>5.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种存储结构，其特征在于，包括：第一存储芯片和第二存储芯片；所述第一存储芯片堆叠设置在所述第二存储芯片一侧，所述第一存储芯片和所述第二存储芯片之间三维连接；所述第一存储芯片设置有用于连接至预设的电路板的多个引脚，所述第一存储芯片的信号传输线与所述引脚连接，所述第二存储芯片的信号传输线穿过所述第一存储芯片与所述引脚连接；

2.根据权利要求1所述的存储结构，其特征在于，所述第一存储芯片的信号传输线包括第一地址命令线和第一数据线；

3.根据权利要求2所述的存储结构，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的存储结构，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的存储结构，其特征在于，

6.根据权利要求3～5任一项所述的存储结构，其特征在于，

7.根据权利要求3～5任一项所述的存储结构，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：李乾男，张衍芳，
申请(专利权)人：西安紫光国芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：