压接型半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的压接型半导体装置包括：功率半导体元件（21），该功率半导体元件（21）在上表面至少具有第1电极（26、27），且在其下表面至少具有第2电极（25）；引线框（8、9、10），该引线框（8、9、10）配置成分别与功率半导体元件的第1电极及第2电极相对；以及卡箍（28），该卡箍（28）在利用引线框夹住功率半导体元件的状态下对引线框施加压力，在至少一个引线框的、与第1电极或第2电极相对的面上，形成有金属多孔镀覆部（22、23、24）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：塚原法人，小岛俊之，广濑贵之，生田敬子，反田耕一，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：