半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
Semiconductor device and method of manufacturing the same
The purpose of the invention is to provide a large capacity and can realize the method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured easily. The present invention has: electrode plate or plate electrode parts (5); in the plate electrode (5) arranged on the insulating sheet as the integration of epoxy sheet (3); and (3) is arranged on the epoxy sheet as the substrate double-sided printing control board (1), the present invention has the plate electrode (5) and double-sided printing substrate (1) by epoxy sheet (3) formed as a whole body electrode (10).
【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。
技术介绍
作为功率用半导体装置的功率MOSFET（MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor））或IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）等半导体装置的封装件，考虑到制造成本及生产率等方面，大多以通过传递模塑成型实现的树脂封装形成。在功率用半导体装置中使用其主流基材即Si（硅）及SiC（碳化硅）的情况下，也大多通过传递模塑成型进行树脂封装。例如，在专利文献1中公开了一种树脂封装的半导体装置。此外，公开了一种在专利文献1的情况下考虑到装置小型化及配线便利性，而使直立在封装树脂表面上的电极露出的构造。另外，在专利文献2中，在传递模塑成型的半导体装置中，为了减少功率损耗，代替将发射极电极和引线端子经由接合线连接，使用将电极之间直接连接的直接引线接合方式。另外，将直立地接合在配置于芯片上的板电极上的电极柱，设置为露出至外部。关于功率用半导体装置，在将以SiC为代表的能够在高温下动作的材料作为基材的元件的应用方面推进开发，要...
【技术保护点】
一种半导体装置，其具有：板状的电极部件；在所述电极部件上设置的一体化绝缘片；以及在所述一体化绝缘片上设置的控制基板，该半导体装置的特征在于，具有使所述电极部件和所述控制基板通过所述一体化绝缘片形成为一体的基板一体型电极，所述基板一体型电极被用作与半导体元件电连接的电极。
【技术特征摘要】
2013.02.06 JP 2013-0210361.一种半导体装置，其具有：板状的电极部件；在所述电极部件上设置的一体化绝缘片；以及在所述一体化绝缘片上设置的控制基板，该半导体装置的特征在于，具有使所述电极部件和所述控制基板通过所述一体化绝缘片形成为一体的基板一体型电极，所述基板一体型电极被用作与半导体元件电连接的电极。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述控制基板在其两个表面上具有电路图案，该半导体装置还具有上表面阻绝层，该上表面阻绝层设置在所述控制基板上表面，对所述电路图案进行覆盖。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还具有下表面阻绝层，该下表面阻绝层设置在与设有所述上表面阻绝层的位置对应的所述电极部件下表面。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述一体化绝缘片在其表面或内部具有板状或网格状的金属屏蔽层。5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还具有半导体元件，该半导体元件与所述基板一体型电极电连接。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述基板一体型电极与所述半导体元件接合，在该接合的部分的周边形成有开口部。7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述基板一体型电极与所述半导体元件接合，在该接合的接合部处朝向所述半导体元件侧形成有凸形状。8...
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