半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置及其制造方法，以提高构成PoP型半导体装置的下侧的半导体装置的生产率。在布线基板(2)的上表面设置多个布线(4)、相当于布线(4)的一端的焊接引线(5)、以及相当于布线(4)的另一端的焊盘(6)。在布线基板(2)的中央部安装半导体芯片(3)。使用焊线将半导体芯片(3)的电极垫(11)和焊接引线(5)电连接。在各焊盘(6)上分别设置焊球(13)。在布线基板(2)的上表面设置密封树脂(14)，该密封树脂(14)覆盖半导体芯片(3)、多个布线(4)、焊线(12)、焊球(13)等。在密封树脂(14)中设置使焊球(13)的上部露出的连续槽(15)。通过将在下侧的半导体装置(1)上设置的焊球(13)和在上侧的半导体装置上设置的焊球电连接，来制造PoP型半导体装置。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
近年来，伴随着电子设备的小型化及高功能化，寻求电子设备中所使用的半导体装置的进一步的小型化及高集成化。为了响应这种需求，在半导体封装体的安装技术中，正在推进对三维安装的半导体装置的开发。例如，被称为封装体叠层(PoP，PackageonPackage)的、在高度方向上层压有半导体封装体的三维结构的(层压型的)半导体装置受到关注。在本申请文件中，按下述含义使用“层压有半导体封装体”等语句中的“层压”这一用语。该含义是指“在多个半导体封装体所分别具有的连接端子之间被相互电连接的状态下，这些半导体封装体堆积而成的状态”。而且，适当地，将“A和B被电连接”单纯地称为“A和B被连接”。PoP型半导体装置是下侧的半导体装置(下侧的半导体封装体)与上侧的半导体装置(上侧的半导体封装体)被层压而构成的层压型半导体装置。PoP型半导体装置通过使用焊球等接合构件将在下侧的半导体装置的电路基板上设置的多个电极和在上侧的半导体装置的背面设置的多个电极电连接来制造。作为层压型半导体装置，提出了一种“通过在下侧的半导体封装体的上表面配置密封材料，用以至少包覆在下侧的布线基板的上表面安装的半导体元件和用于实现下侧的半导体封装体与上侧的半导体封装体的电连接的突起电极，(省略)，从而能够防止可靠性降低的层压型半导体装置”(例如，参考专利文献1的第[0011]段、图1～图3)。专利文献1：日本专利公开2008-171904号公报然而，在专利文献1所公开的以往的层压型半导体装置中，存在如下所述的问题。如专利文献1的图1～图3所示，下侧的半导体封装体1具备：布线基板2；以及设置于比布线基板2的上表面的半导体搭载部更外侧的焊盘部7。上侧的半导体封装体10具备：遍布有基板布线的布线基板11；在布线基板11的下表面设置的焊盘部13；以及接合于该焊盘部13的突起电极14。突起电极14的前端部接合于下侧的半导体封装体1的焊盘部7，将半导体封装体1和半导体封装体10电连接。在这种层压型半导体装置中，为了通过突起电极14将下侧的半导体封装体1和上侧的半导体封装体10电连接，需要与下侧的半导体封装体1的高度相当的突起电极14的大小。这意味着将形成突起电极14的焊球的大小增大到与下侧的半导体封装体1的厚度同等程度。当焊球变大时，需要增大相邻的焊球与焊球之间的中心间间隔。当相邻的焊球之间的中心间间隔变大时，会产生层压型半导体装置变大的问题。
技术实现思路
本专利技术用于解决上述问题，目的在于提供一种能够使半导体装置小型化的半导体装置及其制造方法。为了解决上述问题，本专利技术所涉及的半导体装置具备：布线基板；芯片部件，安装于所述布线基板的一个面；多个连接构件，将形成于所述芯片部件的多个芯片电极和形成于所述布线基板的一个面的多个基板电极分别电连接；多个外部电极，在所述布线基板的一个面上与所述多个基板电极分别相连而形成于所述芯片部件的周围；多个第一突起状电极，分别形成于所述多个外部电极上；密封树脂，形成于所述布线基板的一个面，至少覆盖所述芯片部件和所述多个第一突起状电极；以及开口，形成于所述密封树脂，使所述多个第一突起状电极中的至少上部露出。在本专利技术所涉及的半导体装置中，具有以下方式：具备：第一突起状电极组，由所述多个第一突起状电极形成，在俯视时包围所述芯片部件的周围，所述第一突起状电极组形成有多个，所述多个第一突起状电极组在俯视时分别包围所述芯片部件而形成为多重。在本专利技术所涉及的半导体装置中，具有以下方式：所述开口通过物理加工或化学加工中的任意一种来形成。在本专利技术所涉及的半导体装置中，具有以下方式：所述开口为连续的槽。本专利技术所涉及的半导体装置，通过向第一半导体装置叠合第二半导体装置而构成，所述第一半导体装置由上述的半导体装置构成，所述第二半导体装置具有在与所述多个第一突起状电极相对应的位置形成的多个第二突起状电极，所述多个第一突起状电极和所述多个第二突起状电极分别电连接。在本专利技术所涉及的半导体装置中，具有以下方式：具备：填充材料，形成于所述开口中的所述多个第一突起状电极和所述多个第二突起状电极的周围。为了解决上述问题，本专利技术所涉及的半导体装置的制造方法包括：准备布线基板的工序，所述布线基板具有：一个面；安装用区域，用于在所述一个面上安装具有多个芯片电极的芯片部件；多个基板电极，在所述一个面上形成于所述安装用区域的周围；以及多个外部电极，在所述一个面上形成并与所述多个基板电极相连；在所述安装用区域安装所述芯片部件的工序；将所述多个芯片电极和所述多个基板电极电连接的工序；在所述多个外部电极上形成多个第一突起状电极的工序；在所述布线基板的一个面上形成至少覆盖所述芯片部件和所述多个第一突起状电极的密封树脂的工序；以及以使所述多个第一突起状电极中的至少上部露出为目的而在所述密封树脂中形成开口的工序。在本专利技术所涉及的半导体装置的制造方法中，具有以下方式：在准备所述布线基板的工序中，准备具有第一突起状电极组的布线基板，所述第一突起状电极组具有下述特征：(1)所述第一突起状电极组由所述多个第一突起状电极形成，并且在俯视时包围所述芯片部件的周围；(2)所述第一突起状电极组由多个组形成，并且在俯视时分别包围所述芯片部件而形成为多重。在本专利技术所涉及的半导体装置的制造方法中，具有以下方式：在形成所述开口的工序中，通过物理加工或化学加工中的任意一种来形成所述开口。在本专利技术所涉及的半导体装置的制造方法中，具有以下方式：在形成所述开口的工序中，形成连续的槽来作为所述开口。本专利技术所涉及的半导体装置的制造方法包括：准备第一半导体装置的工序，所述第一半导体装置由通过上述的半导体装置的制造方法而制造的所述半导体装置构成；准备第二半导体装置的工序，所述第二半导体装置具有在与所述第一半导体装置所具有的所述多个第一突起状电极相对应的位置形成的多个第二突起状电极；在所述第一半导体装置的上方，进行位置对准以使所述多个第一突起状电极和所述多个第二突起状电极相互对置，来配置所述第二半导体装置的工序；使所述第一半导体装置和所述第二半导体装置叠合的工序；以及将所述多个第一突起状电极和所述多个第二突起状电极电连接的工序。在本专利技术所涉及的半导体装置的制造方法中，具有以下方式：包括：形成填充材料的工序，所述填充材料充满所述第一半导体装置所具有的所述开口中的所述多个第一突起状电极和所述多个第二突起状电极的周围。根据本专利技术，在半导体装置中，具备：布线基板；多个外部电极，形成于布线基板的一个面；多个第一突起状电极，分别形成于多个外部电极上；以及密封树脂，形成于布线基板的一个面，覆盖芯片部件和多个第一突起状电极。在密封树脂中形成使第一突起状电极的上部露出的开口。为了形成开口，去除密封树脂直到使第一突起状电极的上部露出为止。据此，第一，由于可以使第一突起状电极的上部露出，因此能够将第一突起状电极的上端设于比芯片部件的上表面低的位置。因此，能够将第一突起状电极小型化，故而能够将半导体装置小型化。第二，能够缩短形成开口的时间。因此，能够提高生产半导体装置时的生产率。附图说明图1是示出在本专利技术所涉及的半导体装置的实施例1中下侧的半导体装置的结构的概要图，(a)是俯视图，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，具备：布线基板；芯片部件，安装于所述布线基板的一个面；多个连接构件，将形成于所述芯片部件的多个芯片电极和形成于所述布线基板的一个面的多个基板电极分别电连接；多个外部电极，在所述布线基板的一个面上与所述多个基板电极分别相连而形成于所述芯片部件的周围；多个第一突起状电极，分别形成于所述多个外部电极上；密封树脂，形成于所述布线基板的一个面，至少覆盖所述芯片部件和所述多个第一突起状电极；以及开口，形成于所述密封树脂，使所述多个第一突起状电极中的至少上部露出。

【技术特征摘要】
2015.12.18 JP 2015-2477381.一种半导体装置，具备：布线基板；芯片部件，安装于所述布线基板的一个面；多个连接构件，将形成于所述芯片部件的多个芯片电极和形成于所述布线基板的一个面的多个基板电极分别电连接；多个外部电极，在所述布线基板的一个面上与所述多个基板电极分别相连而形成于所述芯片部件的周围；多个第一突起状电极，分别形成于所述多个外部电极上；密封树脂，形成于所述布线基板的一个面，至少覆盖所述芯片部件和所述多个第一突起状电极；以及开口，形成于所述密封树脂，使所述多个第一突起状电极中的至少上部露出。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，具备：第一突起状电极组，由所述多个第一突起状电极形成，在俯视时包围所述芯片部件的周围，所述第一突起状电极组形成有多个，所述多个第一突起状电极组在俯视时分别包围所述芯片部件而形成为多重。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述开口通过物理加工或化性加工中的任意一种来形成。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述开口为连续的槽。5.一种半导体装置，其特征在于，通过向第一半导体装置叠合第二半导体装置而构成，所述第一半导体装置由权利要求1所述的半导体装置构成，所述第二半导体装置具有在与所述多个第一突起状电极相对应的位置形成的多个第二突起状电极，所述多个第一突起状电极和所述多个第二突起状电极分别电连接。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，具备：填充材料，形成于所述开口中的所述多个第一突起状电极和所述多个第二突起状电极的周围。7.一种半导体装置的制造方法，包括：准备布线基板的工序，所述布线基板具有：一个面；安装用区域，用于在所述一个面上安装具有多个芯片电极的芯片部件；多个基板电极，在所述一个面上形成于所述安装用区域的周围；以及多个外部电极，在所述一个面上形成并与所述多个基板电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹内慎，
申请(专利权)人：东和株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP