半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置的制造方法。提供半导体基材。形成包含感光性添加剂成分的图案化层在半导体基材上。感光性添加剂成分包含金属阳离子。在金属阳离子及一或多个阴离子之间形成一或多个键。一或多个阴离子的每一者为保护基及高分子链键结成分的一者。高分子链键结成分与图案化层的高分子链键结。以辐射对半导体基材进行曝光。

Method for manufacturing semiconductor device

The invention provides a method for manufacturing a semiconductor device. Providing semiconductor substrate. A patterned layer comprising a photosensitive additive component is formed on a semiconductor substrate. A photosensitive additive component comprising a metal cation. One or more bonds are formed between the metal cation and one or more anions. One of one or more anions, each of which is a protective base and a polymer chain key. Macromolecular chain bonding component and polymer chain bond of patterned layer. Expose the semiconductor substrate by radiation.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
本专利技术是关于一种半导体装置的制造方法，特别是关于利用感光材料进行微影制程的方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)产业已经历快速成长。IC材料及设计的技术进步已生产许多世代的IC，且每一世代都较前一代具有较小及更复杂的电路。然而，这些进步增加了制造及生产IC的复杂度，且为了达成这些进步，IC制造及生产上类似的开发是必要的。在IC发展的过程中，功能密度(即每个晶片面积中交联装置的数目)普遍随着几何尺寸(即一次制程所能创造最小的组件(或线))的减小而增加。当半导体装置尺寸持续的缩小，例如低于20纳米节点，传统微影技术有光学上的限制，导致解析度问题，且可能无法达到目标微影效果。相较之下，极紫外线(extremeultraviolet，EUV)微影可实现明显较小的装置尺寸。然而，EUV微影仍然有光阻相关的缺点，例如相对于灵敏度及/或效率的缺点。因此，微影效果会打折或降低。因此，须要提供一种制程及材料，以减少、最小化或去除上述图案化材料的问题。
技术实现思路
本专利技术的一方面为提供一种半导体装置的制造方法。在一实施例中，此方法包含提供半导体基材。形成图案化层在半导体基材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：提供一半导体基材；形成一图案化层在该半导体基材上，其中该图案化层包含一感光性添加剂成分，该感光性添加剂成分包含一金属阳离子，且形成该图案化层的步骤还包含：在该金属阳离子及一或多个阴离子之间形成一或多个键，其中该一或多个阴离子的每一者为一保护基及一高分子链键结成分的一者，且该高分子链键结成分是与该图案化层的一高分子链键结；以及以一辐射对该半导体基材进行曝光。

【技术特征摘要】
2015.12.10 US 62/265,869;2016.05.09 US 15/150,1711.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：提供一半导体基材；形成一图案化层在该半导体基材上，其中该...

【专利技术属性】
技术研发人员：訾安仁，张庆裕，王建惟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71