氮化镓薄膜材料外延生长的方法技术

一种氮化镓薄膜材料外延生长的方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成缓冲层；在所述缓冲层上形成氮化镓子层；刻蚀部分所述氮化镓子层；多次重复所述形成所述氮化镓子层以及刻蚀部分所述氮化镓子层的步骤，在所述缓冲层表面形成氮化镓层。上述方法可以形成低位错密度、高晶体质量的氮化镓层。

Epitaxial growth method of gallium nitride film material

A method including epitaxial growth of GaN thin film materials: providing a substrate; a buffer layer formed on the surface of the substrate; forming a gallium nitride layer on the buffer layer; etching a portion of the GaN layer; repeated the formation of the GaN layer and etching steps of parts of the GaN layer. In the GaN buffer layer is formed by the surface layer. The method can form low dislocation density and high crystal quality GaN layer.

【技术实现步骤摘要】
氮化镓薄膜材料外延生长的方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种氮化镓薄膜材料外延生长的方法。
技术介绍
氮化镓基半导体薄膜材料是应用于紫外/蓝光/绿光发光二极管(LED)、激光器、光电探测器的核心基础材料。同时，其优良的高击穿电压、大功率、高频、抗辐射和高温特性在氮化镓基高电子迁移率晶体管(HEMT)微波射频和功率器件(电力电子)等领域有着广泛的市场应用前景。目前，氮化镓薄膜材料通常异质外延生长在其它材料的衬底上如蓝宝石、碳化硅、硅等。由于存在晶格和热膨胀系数的差异以及界面化学问题的影响，通常得到的氮化镓薄膜材料的晶体质量较差，需采用各种技术来提高材料晶体质量，如低温缓冲层法、组分渐变层法、衬底图形化方法、位错过滤插入层法等。特别对于大晶格失配的衬底如硅，外延生长技术的提高对外延材料的晶体质量改善起到至关重要作用。高晶体质量的外延材料是氮化镓得以应用于各种光电或电子器件的前提。因此，为了降低位错密度，缓解应力，提高晶体质量，发展新的外延技术仍然是氮化镓薄膜材料异质外延生长面临的技术课题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种氮化镓薄膜材料外延生长的方法，以提高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓薄膜材料外延生长的方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成缓冲层；在所述缓冲层上形成氮化镓子层；刻蚀部分所述氮化镓子层；多次重复所述形成氮化镓子层以及刻蚀部分所述氮化镓子层的步骤，在所述缓冲层表面形成氮化镓层。

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓薄膜材料外延生长的方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成缓冲层；在所述缓冲层上形成氮化镓子层；刻蚀部分所述氮化镓子层；多次重复所述形成氮化镓子层以及刻蚀部分所述氮化镓子层的步骤，在所述缓冲层表面形成氮化镓层。2.根据权利要求1所述的氮化镓薄膜材料外延生长的方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀部分所述氮化镓子层，所述干法刻蚀工艺采用的气体包括刻蚀气体和载气，所述刻蚀气体为Cl2或F2。3.根据权利要求2所述的氮化镓薄膜材料外延生长的方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺采用的气体中，Cl2或F2的流量为2slm～10slm，体积比为2％～10％。4.根据权利要求1所述的氮化镓薄膜材料外延生长的方法，其特征在于，所述氮化镓子层的厚度为2...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫发旺，张峰，赵倍吉，刘春雪，李晨，
申请(专利权)人：上海新傲科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31