【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构
本技术涉及半导体
,具体涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构。
技术介绍
继硅(Si)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)半导体材料之后,以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料和器件,在过去二十年成为国内外固态微波功率器件领域的研究热点,并得到了高速发展,从实验研究逐渐走向商业化应用。尤其是GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT),具有大的禁带宽度、高的击穿电场强度、高饱和电子速度等优越性能,能在高频段下输出大的功率密度,非常适合制造高温、高压、高频大功率微波、大功率开关等电子器件,在卫星、无线通信基站、雷达探测、汽车电子、电力传输和单片微波集成电路(MMICs)等国民经济和国防建设中有着广泛应用。典型的AlGaN/GaNHEMT外延结构由下往上依次是:衬底(SiC、蓝宝石、Si、金刚石等)、成核层、GaN缓冲与沟道层,AlN空间插入层、AlGaN势垒层及可选的帽层。由于晶格失配,AlGaN势垒层和GaN缓冲层之间会存在较大的压电极化效应,而此种压电极化效应是贡献高密度沟道二维电子气的原因之一,另一原因则是氮化物半导体所特有的自发极化效应。尽管得益于AlGaN和GaN之间较强的压电极化效应,AlGaN/GaN异质结可以产生较高密度的二维电子气,但也给GaN器件走向大规模商用带来了巨大障碍:目前学术界和业界普遍认为,逆压电效应是GaN器件退化的主要原因之一,并且由此带来的可靠性风险从未被完全释放。为了改善以上不足,学术界提出了采用InAlN势垒层来取代AlGaN势垒层,In0.17Al ...
【技术保护点】
一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构,其特征在于,从下到上依次包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层和InN/AlN超晶格势垒层,所述InN/AlN超晶格势垒层的周期数为3~5。
【技术特征摘要】
1.一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构,其特征在于,从下到上依次包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层和InN/AlN超晶格势垒层,所述InN/AlN超晶格势垒层的周期数为3~5。2.根据权利要求1所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构,其特征在于,所述InN/AlN超晶格势垒层厚度为8~20nm。3.根据权利要求1或2所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构,其特征在于,所述InN层厚度为0.5~1nm,AlN层厚度为2~4nm。4.根据权利要求1所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管外延...
【专利技术属性】
技术研发人员:孔欣,
申请(专利权)人:成都海威华芯科技有限公司,
类型:新型
国别省市:四川,51
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