一种高迁移率晶体管及其制备方法技术
High mobility transistor and method for making same
The invention discloses a high mobility transistor and a preparation method thereof, belonging to the functional electronic device field. This invention utilizes two or three layers of graphene films with high mobility as electron transport channel, its conductive properties are subjected to stress and doping characteristics of modulation, when voltage applied to the gate terminal current in the channel, so as to realize the function of HEMT devices. And because the conductivity of two or three layers of graphene films changed with doping, therefore in the same piece of GaN can also produce N type HEMT and P type HEMT, N type HEMT and P type HEMT inverter digital logic circuits, digital logic RF and microwave frequency function.
【技术实现步骤摘要】
一种高迁移率晶体管及其制备方法
本专利技术属于功能性电子器件领域，具体是高电子迁移率的双层石墨烯结构作为电子输运沟道和由此结构衍生的高迁移率晶体管(HEMT)。
技术介绍
高电子迁移率晶体管(HEMT)是一利用具有很高迁移率的二维电子气来工作的场效应晶体管，这种器件及其集成电路能够很好的应用于超高频(毫米波)、超高速领域。在常规的HEMT器件中，由于异质结接触有较大的导带不连续差值，界面处的窄禁带半导体一侧形成三角量子阱，宽禁带半导体侧会形成势垒，限制三角量子阱中的自由电子在垂直异质结接触面方向的移动，故称此量子阱为二维电子气(2DimensionalElectronGas)。2-DEG是HEMT中电子输运的沟道.由于沟道所在的半导体通常是不掺杂的，沟道中的自由移动电子远离掺杂的半导体中电离杂质的散射，载流子能获得很高的电子迁移率。当今的HEMT器件通常有GaAs基、GaN基、InP基三大系化合物半导体构建，已经在射频和微波领域发挥重大作用。由于石墨烯在狄拉克点下零禁带半导体，电子迁移率非常高。在双层石墨烯结构，对称性受到破坏，在狄拉克点处，零禁带分裂出导带与价带...
【技术保护点】
一种高迁移率晶体管，其特征在于，包括宽禁带半导体或耐高温的晶体基体，在上述晶体基体上设有双层或三层石墨烯作为沟道，在沟道上淀积金属锌或铟并氧化形成氧化锌或氧化铟半导体薄膜，在上述氧化锌或氧化铟半导体薄膜上制备肖特基电极，在双层或三层石墨烯层上制作欧姆电极。
【技术特征摘要】
1.一种高迁移率晶体管，其特征在于，包括宽禁带半导体或耐高温的晶体基体，在上述晶体基体上设有双层或三层石墨烯作为沟道，在沟道上淀积金属锌或铟并氧化形成氧化锌或氧化铟半导体薄膜，在上述氧化锌或氧化铟半导体薄膜上制备肖特基电极，在双层或三层石墨烯层上制作欧姆电极。2.如权利要求1所述的高迁移率晶体管，其特征在于，所述宽禁带半导体为GaN、AlN或Si。3.如权利要求1所述的高迁移率晶体管，其特征在于，所述氧化锌或氧化铟半导体薄膜为4至10nm。4.如权利要求1所述的高迁移率晶体管，其特征在于，所述欧姆电极为Ti/Al/Ni/Au金属。5...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。