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本发明公开了一种高迁移率晶体管及其制备方法，属于功能性电子器件领域。该发明利用高迁移率的双层或三层石墨烯薄膜作为电子输运沟道，其导电特性受到应力和掺杂特性调制，当在栅端加电压调节沟道中的电流，从而实现了HEMT器件的功能。且由于双层或三层石...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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