【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构，包括衬底（１）、成核层（２）、缓冲层（３）、沟道层（４）、隔离层（５）、势垒层（７）和帽层（８），衬底（１）位于最底层，成核层（２）外延生长在衬底（１）上，缓冲层（３）外延在成核层（２）之上，沟道层（４）则生长在缓冲层（３）上，隔离层（５）又外延在沟道层（４）上，势垒层（７）位于隔离层（５）的上部，帽层８外延在势垒层（７）上，其特征是在势垒层（７）和隔离层（５）之间设有厚度为１～６ｎｍ隔离层（６），该隔离层（６）外延生长在隔离层（５）之上，而势垒层（７）则外延生长在所述的隔离层（６）上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李忠辉，陈辰，董逊，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]
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