一种用于医疗美容激光器的量子阱/量子点混合激光芯片结构制造技术

本发明专利技术公开了一种用于医疗美容激光器的量子阱/量子点混合激光芯片结构，包括N型衬底层101、渐变波导层102、量子阱/量子点混合有源层103、刻蚀阻挡层105、P型层106、帽层107，所述采用分子束外延方法将量子点结构嵌入量子阱结构制备的混合有源层，可以使得发射激光的阈值电流更低，长期稳定性更好；更适宜去除皮肤角质层，实现激光美白、嫩肤的效果。

A quantum well / quantum dot hybrid laser chip for medical cosmetic lasers

The invention discloses a medical cosmetic laser quantum well / quantum dots hybrid laser chip structure, including N type substrate layer 101 and layer 102, a tapered waveguide quantum well / quantum dots hybrid active layer 103, an etch stop layer 105, P layer 106, cap layer 107, wherein the molecular beam epitaxy method quantum dots mixed active layer structure of embedded quantum well structure preparation, can make the lower laser threshold current, better long-term stability; more suitable to remove the skin horny layer, laser whitening and rejuvenation effect.

【技术实现步骤摘要】
一种用于医疗美容激光器的量子阱/量子点混合激光芯片结构
本专利技术属于激光器
，涉及到一种用于医疗美容激光器的量子阱/量子点混合激光芯片，该激光芯片将量子点结构嵌入量子阱结构形成混合有源层，可以使得发射激光的阈值电流更低，长期稳定性更好，是一种新型激光芯片外延结构。
技术介绍
1~3微米波段的激光器、光电探测器及焦平面阵列在众多领域均有重要的应用，例如超低损耗光纤通信及自由空间光通信、医疗美容美白、卫星遥感成像、气体探测、激光测风雷达、物质检测光谱仪器等。随着人们生活水平的不断提高，在满足了吃、穿、住等方面的需求后，对外在美丽的需求使得整形美容行业迅速崛起，据不完全统计，全球医疗美容行业的规模已经达到了千亿美元的规模。其中1~3微米波段的低功率激光可以有效地去除皮肤的死皮、角质等，达到美容美白去除皱纹的功效，且完全无副作用。目前，1~3微米波段的激光器以多量子阱结构为主，其基材及外延量子阱结构根据实际的应用需求做不同的设计。AlInGaAs/InP材料的导带偏移为ΔEc=0.72ΔEg，InGaAsP/InP材料的ΔEc=0.4ΔEg，因此，AlInGaAs/InP的量子阱材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于医疗美容激光器的量子阱/量子点混合激光芯片,其特征在于，包括：N型衬底层（101)；渐变波导层(102)，所述渐变波导层(102)位于所述N型衬底层(101)上；量子阱/量子点混合有源层（103），所述量子阱/量子点混合有源层（103）位于所述渐变波导层（102）上；刻蚀阻挡层（105），所述刻蚀阻挡层（105）与所述渐变波导层(104)之间设置所述渐变波导层（102）；P型层(106)，所述P型层(106)位于所述刻蚀阻挡层(105)上；帽层(107)，所述帽层(107)位于所述P型层（106）上;其中，所述量子阱/量子点混合有源层（103）为采用分子束外延方法将量子点结构嵌入量子阱...

【技术特征摘要】
1.一种用于医疗美容激光器的量子阱/量子点混合激光芯片,其特征在于，包括：N型衬底层（101)；渐变波导层(102)，所述渐变波导层(102)位于所述N型衬底层(101)上；量子阱/量子点混合有源层（103），所述量子阱/量子点混合有源层（103）位于所述渐变波导层（102）上；刻蚀阻挡层（105），所述刻蚀阻挡层（105）与所述渐变波导层(104)之间设置所述渐变波导层（102）；P型层(106)，所述P型层(106)位于所述刻蚀阻挡层(105)上；帽层(107)，所述帽层(107)位于所述P型层（106）上;其中，所述量子阱/量子点混合有源层（103）为采用分子束外延方法将量子点结构嵌入量子阱结构制备的混合有源层。2.根据权利要求1所述的量子阱/量子点混合激光芯片，其特征在于，所述N型衬底层（101）由N型磷化铟（N-InP）制备而成。3.根据权利要求1所述的量子阱/量子点混合激光芯片，其特征在于，所述渐变波导层（102）采用铝铟镓砷（AlX1→X2Ga）InY1As四元组分结构，其中所述Al元素的组分由X1渐变至X2，X1大于X2。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：李林森，
申请(专利权)人：苏州达沃特光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32