【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体
，特别是指一种，该方法基于低维半导体纳米结构量子点材料的量子器件，如砷化(镓)铟/磷化铟(In(Ga)As/InP)量子点激光器有源区的外延生长方法。具体地涉及通过控制生长停顿期间V族保护源调节砷化铟/磷化铟量子点材料发光波长。
技术介绍
新一代高速光通信系统迫切需要低功耗、高性能长波长半导体激光光源。作为传送信号载体光波的发射源或光源的重要候选，半导体量子点激光器因其诸多优势受到了科学家们的极大关注。量子点具有三维限制载流子运动的能力，会产生类似原子的分裂能级，从而产生了很多独特的光电性质。半导体量子点激光器相比于一维受限的量子阱激光器具 有更好的温度稳定性，更低的阈值电流密度、更高的微分增益、更小的频率啁啾效应等优越性能。截止目前，基于砷化镓(GaAs)基的In(Ga)As量子点已被广泛深入研究。但由于InAs与GaAs材料晶格失配较大(7. 1% )，InAs/GaAs量子点材料主要发光在1_1. 3 u m范围，尽管人们做了很多尝试试图拉长该体系量子点发光波长，作为光通讯应用的C波段(1530-1561nm)范围仍难以达到。因...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤 步骤I :选择一磷化铟衬底； 步骤2 :在该磷化铟衬底上外延生长一层磷化铟缓冲层； 步骤3 :在磷化铟缓冲层上沉积晶格匹配的铟镓砷磷薄层； 步骤4 :在铟镓砷磷薄层上外延生长多周期的砷化铟量子点有源层； 步骤5 :在砷化铟量子点有源层上沉积铟镓砷磷盖层，完成量子点激光器有源区的制备。2.根据权利要求I所述的制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，其中多周期的砷化铟量子点有源层的周期数为1-20。3.根据权利要求2所述的制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，其中多周期的砷化铟量子点有源层的每一周期包括一量子点层，第一盖层，第二盖层；沉积完砷化铟量子点层，关闭铟源，生长停顿期间通过降低砷保护气氛流量或者交替开和关砷源，起到调节量子点发光波长的作用，在量子点上生长第一盖层，在第一盖层上生长第二盖层。4.根据权利要求3所述的制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，其中生长停顿...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗帅，季海铭，杨涛，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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