【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及纳米光子材料和新型激光
，特别是涉及一种全硅量子点纳米 激光器及其制备方法。
技术介绍
当今的发展进入芯片上的光电子集成与芯片级的全光化，这是实现光量子信息处 理和光量子信息计算的关键，而作出硅芯片上的用于光互联的光源与传播节点是一项瓶颈 性的工作。目前，急需芯片级的微型激光与相干光源。今天，建立在硅基上的微电子信息产业高度发达，但是受尺寸与功耗的限制，摩尔 定律已经到了适用范围的极限。科学家们试图以光互联为基础在硅基上建立起全新的光 量子信息处理系统，取代现在的微电子信息系统，实现信息时代革命性的跨越。这里，我们 要解决几个关键性的问题，一是在什么材料上建立光量子信息处理系统，有些材料特别是 半导体材料的光学性质很好(例如砷化镓半导体材料)，但是硅材料有很好的基础且属于环 保材料，所以最终选择在硅基上建立光量子信息处理系统。二是需要改进硅材料的光学性 质，我们知道单晶硅的间接带隙结构致使硅材料的发光效率很低，而改进硅材料的光学性 质的途径主要是采用能带工程，制备硅的低维纳米结构获取准直接带隙结构，如纳米硅、多 孔硅、锗硅应变层和纳米氧化硅等...
【技术保护点】
一种全硅量子点纳米激光器，其特征在于：该纳米激光器用光泵浦激发，以全硅量子点为工作物质，采用二维光子晶体谐振选模并产生激射。
【技术特征摘要】
1.一种全硅量子点纳米激光器，其特征在于该纳米激光器用光泵浦激发，以全硅量 子点为工作物质，采用二维光子晶体谐振选模并产生激射。2.按照权利要求1所述全硅量子点纳米激光器，其特征在于所述全硅量子点的尺寸 为纳米数量级并被氧化硅或氮化硅包裹。3.按照权利要求1所述全硅量子点纳米激光器，其特征在于二维光子晶体是微米数 量级的圆孔腔体阵列，圆孔间距为5 30 μ m。4.按照权利要求1所述全硅量子点纳米激光器，其特征在于光泵浦采用固体激光或 半导体激光泵浦。5.按照权利要求1至3任一所述全硅量子点纳米激光器，其特征在于全硅量子点位 于圆孔腔体阵列的二维光子晶体中。6.权利要求1至5任一所述全硅量子点纳米激光器的制备方法，其特征在于(1)工作物质的制备用脉冲激光束辐照单晶硅片，调节脉冲激光束功率密度至产生白 色等离子体辉光，在氮气氛围中用调节好的30 60纳秒脉宽的脉冲激光束照射样品9 10秒，再在氧气氛围中用调节好的70 120纳秒脉宽的脉冲激光束照射样品12 19秒， 然后置于氮气氛围中在1000°c高温下退火25 30分钟，自然冷却至室温后置于氧气氛围 中在1000°C高温下退火35 50分钟，即得工作物质；(2)然后用532nm脉冲激光束照射加工好的工作物质，得微米数量...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。