具有纳米量子点层的发光二极管制造技术
【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体领域，尤其涉及一种以纳米量子点作为P型接触层的发光二极管。
技术介绍
随着氮化物LED技术的不断发展，用其制备的发光二极管等光电器件，被广泛应用于固态显示、照明和信号灯等领域。尽管使用氮化镓基发光二极管作为光源替代传统光源已成为不可逆转的趋势，但要完全取代现有的照明和显示技术，必须要实现更高的电光转换效率。在诸多问题中，如何降低器件的接触电阻和接触电压是迫切需要解决的关键问题之一。
技术实现思路
本技术公开了一种具有纳米量子点层的发光二极管，以降低发光二极管的接触电阻和接触电压，至少包括一衬底，以及依次层叠于所述衬底之上的缓冲层、N型层、发光层和P型层，其特征在于：所述发光二极管还包括位于所述P型层之上的由纳米尺寸的量子点组成的纳米量子点层。优选的，所述纳米量子点的能隙低于所述P型层优选的，所述纳米量子点为InGaN或InN量子点。优选的，所述InGaN或InN量子点中In组分大于等于50%。优选的，所述量子点为P型掺杂或N型掺杂或不掺杂。优选的，所述量子点于所述P型层上均匀或不均匀分布。优选的，所述量子点的分布密度小于等于6×109cm-2。优选的...
【技术保护点】
具有纳米量子点层的发光二极管，至少包括一衬底，以及依次层叠于所述衬底之上的缓冲层、N型层、发光层和P型层，其特征在于：所述发光二极管还包括位于所述P型层之上的由纳米尺寸的量子点组成的纳米量子点层。
【技术特征摘要】
1.具有纳米量子点层的发光二极管，至少包括一衬底，以及依次层叠于所述衬底之上的缓冲层、N型层、发光层和P型层，其特征在于：所述发光二极管还包括位于所述P型层之上的由纳米尺寸的量子点组成的纳米量子点层。2.根据权利要求1所述的具有纳米量子点层的发光二极管，其特征在于：所述纳米量子点的能隙低于所述P型层。3.根据权利要求1所述的具有纳米量子点层的发光二极管，其特征在于：所述纳米量子点为InGaN或InN量子点。4.根据权利要求1或3所述的具有纳米量子点层的发光二极管，其特征在于：所述量子点为P型掺杂或N型掺杂或不掺杂。5.根据权利要求1所述的具有纳米量子点层的发光二极管，其特征在于：所述量子点...
【专利技术属性】
技术研发人员：蓝永凌，林兓兓，张家宏，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34
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